[發(fā)明專利]垂直存儲(chǔ)器裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910085568.0
• 申請(qǐng)日: 2019-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN110391248A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫榮晥;金森宏治;姜信煥;權(quán)永振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/1157
• 分類號(hào): H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強(qiáng)

公開了一種垂直存儲(chǔ)器裝置及其制造方法。該垂直存儲(chǔ)器裝置包括位于基底上的柵電極、延伸穿過(guò)柵電極的溝道以及延伸穿過(guò)柵電極的接觸塞。柵電極在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆疊，并且布置為具有階梯形狀，該階梯形狀包括其的在基本平行于上表面的第二方向上的延伸長(zhǎng)度從最下面的水平朝向最上面的水平逐漸減小的臺(tái)階。在每個(gè)柵電極的沿第二方向的端部處的墊具有比所述每個(gè)柵電極的其它部分的厚度大的厚度。溝道在第一方向上延伸。接觸塞在第一方向上延伸。接觸塞接觸柵電極之中的第一柵電極的墊以電連接到第一柵電極，并且與柵電極之中的第二柵電極電絕緣。

本申請(qǐng)要求于2018年4月20日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第10-2018-0046048號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的內(nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

示例實(shí)施例涉及一種垂直存儲(chǔ)器裝置和/或一種制造該垂直存儲(chǔ)器裝置的方法。例如，至少一些示例實(shí)施例涉及一種包括接觸塞的垂直存儲(chǔ)器裝置和/或一種制造該垂直存儲(chǔ)器裝置的方法。

背景技術(shù)

在制造外圍上單元(COP)結(jié)構(gòu)的VNAND閃存裝置中，會(huì)通過(guò)單獨(dú)的工藝形成共源極線(CSL)和接觸塞，因此工藝的數(shù)量會(huì)增加。另外，難于形成僅接觸相應(yīng)的墊的多個(gè)接觸塞。

發(fā)明內(nèi)容

示例實(shí)施例提供了一種具有改善的電氣特性的垂直存儲(chǔ)器裝置。

示例實(shí)施例提供了一種制造具有改善的電氣特性的垂直存儲(chǔ)器裝置的方法。

至少一些示例實(shí)施例涉及垂直存儲(chǔ)器裝置。在一些示例實(shí)施例中，所述垂直存儲(chǔ)器裝置可以包括：多個(gè)柵電極，位于基底上，所述多個(gè)柵電極在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆疊，所述多個(gè)柵電極在第二方向上是臺(tái)階式的且所述多個(gè)柵電極的延伸長(zhǎng)度從最下面的水平朝向最上面的水平逐漸減小，第二方向基本平行于基底的上表面，所述多個(gè)柵電極在其沿第二方向的端部處包括墊，墊具有比所述多個(gè)柵電極中的相應(yīng)的柵電極的其它部分的厚度大的厚度；溝道，在第一方向上延伸穿過(guò)所述多個(gè)柵電極；以及接觸塞，在第一方向上延伸穿過(guò)所述多個(gè)柵電極，接觸塞接觸所述多個(gè)柵電極之中的第一柵電極的墊使得墊電連接到接觸塞，并且與所述多個(gè)柵電極之中的第二柵電極電絕緣。

至少一些示例實(shí)施例涉及垂直存儲(chǔ)器裝置。在一些示例實(shí)施例中，所述垂直存儲(chǔ)器裝置包括：電路圖案，位于基底上，基底包括單元陣列區(qū)域和墊區(qū)域；絕緣層間層，覆蓋電路圖案；基體圖案，位于在基底的單元陣列區(qū)域上的絕緣層間層上；多個(gè)柵電極，在基體圖案和絕緣層間層上沿第一方向彼此分隔開，第一方向基本垂直于基底的上表面；溝道，延伸穿過(guò)在基底的單元陣列區(qū)域上的所述多個(gè)柵電極；以及接觸塞，延伸穿過(guò)在基底的墊區(qū)域上的所述多個(gè)柵電極和絕緣層間層，使得接觸塞電連接到所述多個(gè)柵電極中的一個(gè)柵電極和電路圖案。

至少一些示例實(shí)施例涉及垂直存儲(chǔ)器裝置。在一些示例實(shí)施例中，所述垂直存儲(chǔ)器裝置包括：多個(gè)柵電極，位于基底上，所述多個(gè)柵電極在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆疊，所述多個(gè)柵電極中的每個(gè)柵電極的第一部分具有大于所述每個(gè)柵電極的其它部分的厚度的厚度；溝道，在第一方向上延伸穿過(guò)所述多個(gè)柵電極；以及多個(gè)接觸塞，每個(gè)接觸塞延伸穿過(guò)所述多個(gè)柵電極中的相應(yīng)的柵電極的第一部分，使得所述多個(gè)接觸塞電連接到所述相應(yīng)的柵電極并且與所述多個(gè)柵電極中的其它柵電極電絕緣。

至少一些示例實(shí)施例涉及制造垂直存儲(chǔ)器裝置的方法。在一些示例實(shí)施例中，所述方法包括：在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向交替并重復(fù)地堆疊第一絕緣層和犧牲層，基底包括單元陣列區(qū)域和墊區(qū)域；形成在第一方向上穿過(guò)第一絕緣層和犧牲層的溝道；形成穿過(guò)第一絕緣層和犧牲層的在基底的單元陣列區(qū)域和墊區(qū)域上的部分的第一開口；形成穿過(guò)第一絕緣層和犧牲層的在基底的墊區(qū)域上的部分的第二開口；經(jīng)由第一開口和第二開口去除犧牲層，以形成位于第一絕緣層之間的多個(gè)間隙；在所述多個(gè)間隙中的每個(gè)間隙中形成柵電極；以及同時(shí)在第一開口和第二開口中分別形成共源極線(CSL)和接觸塞。