[發(fā)明專利]垂直存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910085568.0
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN110391248A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫榮晥;金森宏治;姜信煥;權(quán)永振
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置包括：

多個柵電極，位于基底上，所述多個柵電極在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆疊，所述多個柵電極在第二方向上是臺階式的且所述多個柵電極的延伸長度從最下面的水平朝向最上面的水平逐漸減小，第二方向基本平行于基底的上表面，所述多個柵電極在其沿第二方向的端部處包括墊，墊具有比所述多個柵電極中的相應(yīng)的柵電極的其它部分的厚度大的厚度；

溝道，在第一方向上延伸穿過所述多個柵電極；以及

接觸塞，在第一方向上延伸穿過所述多個柵電極，接觸塞接觸所述多個柵電極之中的第一柵電極的墊使得墊電連接到接觸塞，并且與所述多個柵電極之中的第二柵電極電絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，

第二柵電極位于第一柵電極下方，

接觸塞延伸穿過第二柵電極中的每個第二柵電極的一部分，所述一部分不是墊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

第一絕緣圖案，位于接觸塞與第二柵電極中的每個第二柵電極之間，第一絕緣圖案覆蓋接觸塞的側(cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

共源極線，位于基底上，共源極線在第二方向上延伸穿過所述多個柵電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直存儲器裝置，其中，接觸塞和共源極線包括基本相同的材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的垂直存儲器裝置，其中，所述多個柵電極、接觸塞和共源極線包括基本相同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

第二絕緣圖案，位于共源極線與所述多個柵電極中的每個柵電極之間，第二絕緣圖案覆蓋共源極線的側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

電路圖案，位于基底上；

絕緣層間層，位于基底上，絕緣層間層覆蓋電路圖案，接觸塞至少部分地延伸穿過絕緣層間層以電連接到電路圖案；以及

基體圖案，位于絕緣層間層上，基體圖案具有形成在其上的所述多個柵電極和溝道。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直存儲器裝置，其中，基體圖案包括硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直存儲器裝置，其中，基底包括：

單元陣列區(qū)域，在第二方向上位于基底的中央部分處，單元陣列區(qū)域具有形成在其上的溝道和共源極線；以及

墊區(qū)域，在第二方向上位于基底的邊緣部分處，墊區(qū)域具有形成在其上的所述多個柵電極的墊和接觸塞。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的垂直存儲器裝置，其中，基體圖案僅形成在基底的單元陣列區(qū)域上。

12.一種垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置包括：

電路圖案，位于基底上，基底包括單元陣列區(qū)域和墊區(qū)域；

絕緣層間層，覆蓋電路圖案；

基體圖案，位于在基底的單元陣列區(qū)域上的絕緣層間層上；

多個柵電極，在基體圖案和絕緣層間層上沿第一方向彼此分隔開，第一方向基本垂直于基底的上表面；

溝道，延伸穿過在基底的單元陣列區(qū)域上的所述多個柵電極；以及

接觸塞，延伸穿過在基底的墊區(qū)域上的所述多個柵電極和絕緣層間層，使得接觸塞電連接到所述多個柵電極中的一個柵電極和電路圖案。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的垂直存儲器裝置，其中，所述多個柵電極中的每個柵電極包括位于基底的墊區(qū)域上的墊，所述多個柵電極中的至少一個柵電極的墊的厚度大于所述多個柵電極中的所述至少一個柵電極的其它部分的厚度。