[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910085556.8
• 申請(qǐng)日: 2019-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN110911498B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山下博幸;森伸二;澤敬一;松尾和展;松田和久;齋藤雄太;高橋篤史;田中正幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/792
• 分類號(hào): H01L29/792;H10B43/27;H10B43/35
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備：

半導(dǎo)體層；

柵極電極；

第1絕緣層，設(shè)置于上述半導(dǎo)體層與上述柵極電極之間；

第2絕緣層，設(shè)置于上述第1絕緣層與上述柵極電極之間；

存儲(chǔ)區(qū)域，設(shè)置于上述第1絕緣層與上述第2絕緣層之間，且包含金屬或半導(dǎo)體，具有第1區(qū)域、第2區(qū)域以及位于上述第1區(qū)域與上述第2區(qū)域之間的第3區(qū)域；以及

覆蓋層，包圍上述存儲(chǔ)區(qū)域，且包含硅以及氮，上述覆蓋層設(shè)置于上述存儲(chǔ)區(qū)域與上述第2絕緣層之間以及上述存儲(chǔ)區(qū)域與上述第1絕緣層之間，上述覆蓋層與上述第1絕緣層接觸，

上述第1區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度小于上述第3區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度，

上述第2區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度小于上述第3區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述存儲(chǔ)區(qū)域包含從包括金屬、金屬氮化物以及金屬氧化物的組中選擇出的至少一種材料。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述存儲(chǔ)區(qū)域包含電子親和力或功函數(shù)比上述覆蓋層大的材料。

4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述存儲(chǔ)區(qū)域包含從包括氧化鈦、氮化鈦以及釕的組中選擇出的至少一種材料。

5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述覆蓋層具有大致均勻的化學(xué)組成。

6.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述第1區(qū)域與上述第1絕緣層之間的第1距離以及上述第2區(qū)域與上述第1絕緣層之間的第2距離小于上述第3區(qū)域與上述第1絕緣層之間的第3距離。

7.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述覆蓋層的一部分設(shè)置于上述存儲(chǔ)區(qū)域與上述第1絕緣層之間，上述覆蓋層的另一部分設(shè)置于上述存儲(chǔ)區(qū)域與上述第2絕緣層之間，上述覆蓋層的又一部分設(shè)置在包括上述存儲(chǔ)區(qū)域的平面內(nèi)。

8.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備：

層疊體，層間絕緣層與導(dǎo)電層在第1方向上交替地層疊；

半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述層疊體中，沿著上述第1方向延伸；

第1絕緣層，沿著與上述第1方向交叉的第2方向設(shè)置于上述半導(dǎo)體層與上述導(dǎo)電層之間；

第2絕緣層，沿著上述第2方向設(shè)置于上述第1絕緣層與上述導(dǎo)電層之間；

存儲(chǔ)區(qū)域，沿著上述第2方向設(shè)置于上述第1絕緣層與上述第2絕緣層之間，且包含金屬或半導(dǎo)體，具有第1區(qū)域、第2區(qū)域以及位于上述第1區(qū)域與上述第2區(qū)域之間的第3區(qū)域；以及

覆蓋層，包圍上述存儲(chǔ)區(qū)域，且包含硅以及氮，上述覆蓋層沿著上述第2方向設(shè)置于上述存儲(chǔ)區(qū)域與上述第2絕緣層之間以及上述存儲(chǔ)區(qū)域與上述第1絕緣層之間，上述覆蓋層與上述第1絕緣層接觸，

上述第1區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度小于上述第3區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度，

上述第2區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度小于上述第3區(qū)域與上述第1絕緣層之間的上述覆蓋層的厚度。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述存儲(chǔ)區(qū)域包含從包括金屬、金屬氮化物以及金屬氧化物的組中選擇出的至少一種材料。

10.如權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述存儲(chǔ)區(qū)域包含電子親和力或功函數(shù)比上述覆蓋層大的材料。

11.如權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，

上述存儲(chǔ)區(qū)域包含從包括氧化鈦、氮化鈦以及釕的組中選擇出的至少一種材料。