[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體工藝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910085468.8
• 申請(qǐng)日: 2019-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110634745A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張家敖;余德偉;陳建豪;盧永誠(chéng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 72003 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體工藝方法，所述方法包括：

在一基板上形成多個(gè)鰭片，所述鰭片的側(cè)壁和所述鰭片的側(cè)壁之間的一底表面在所述鰭片之間界定一溝槽；

在所述鰭片之上形成一柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)具有一側(cè)壁，所述側(cè)壁具有一缺陷區(qū)形成于所述側(cè)壁中；以及

形成一填充層，以在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁中填充所述缺陷區(qū)。