[發(fā)明專利]一種多孔結構的形成方法以及多孔結構

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• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN109904108A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 嚴孟
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權代理有限公司 11270
• 代理人: 李梅香;張穎玲

本發(fā)明公開了一種多孔結構的形成方法以及多孔結構，所述多孔結構包括形成在基底內的通孔以及盲孔，所述方法包括以下步驟：提供基底，所述基底為多層結構，所述多層結構至少包括形成在所述基底內部的刻蝕阻擋層；所述刻蝕阻擋層至少覆蓋所述盲孔的預設形成位置的下方，并在所述通孔的預設形成位置的下方具有開口；沿所述盲孔以及所述通孔的預設形成位置，從所述基底的表面向下刻蝕；在所述盲孔的預設形成位置處，所述刻蝕停止在所述刻蝕阻擋層，形成所述盲孔；在所述通孔的預設形成位置處，所述刻蝕繼續(xù)向下進行，形成所述通孔。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種多孔結構的形成方法以及多孔結構。

背景技術

隨著電子技術的飛速發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的要求逐漸向小型化、多功能和環(huán)保型等方向發(fā)展，這使得電子產(chǎn)品越做越小，集成度越來越高，功能更多和更強。為了實現(xiàn)上述目的，本領域中通常將多個裸芯片或者襯底通過鍵合的方式堆疊起來，使所述多個裸芯片或者襯底在三維方向上形成互連結構，從而實現(xiàn)一個系統(tǒng)或者某個功能在三維結構上的集成。

在晶圓混合鍵合技術中，為了形成金屬密度均勻的鍵合界面，除了需要形成器件導電連接所需的連接孔(引線/通孔)以外，還需要形成與所述連接孔分布一致的Dummy孔(虛擬孔/盲孔)。由于連接孔與虛擬孔的刻蝕深度不同，通常需要兩次光刻以及兩次刻蝕才能完成所有孔的制備；不僅如此，為了獲得較高的集成度，鍵合界面往往需要設計較多的連接孔，工藝線寬需要盡可能縮小，這樣就需要使用適合作小線寬的KrF光刻機甚至ArF光刻機進行曝光，以及使用復雜的具有保型作用的掩膜層做刻蝕工藝的阻擋層，因此，造成了繁雜的工藝步驟和高昂的生產(chǎn)成本。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種多孔結構的形成方法以及多孔結構。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的：

本發(fā)明實施例提供了一種多孔結構的形成方法，所述多孔結構包括形成在基底內的通孔以及盲孔，所述方法包括以下步驟：

提供基底，所述基底為多層結構，所述多層結構至少包括形成在所述基底內部的刻蝕阻擋層；所述刻蝕阻擋層至少覆蓋所述盲孔的預設形成位置的下方，并在所述通孔的預設形成位置的下方具有開口；

沿所述盲孔以及所述通孔的預設形成位置，從所述基底的表面向下刻蝕；在所述盲孔的預設形成位置處，所述刻蝕停止在所述刻蝕阻擋層，形成所述盲孔；在所述通孔的預設形成位置處，所述刻蝕繼續(xù)向下進行，形成所述通孔。

上述方案中，所述多層結構還包括層疊于所述刻蝕阻擋層以下的布線層；所述通孔的下端與所述布線層連接。

上述方案中，所述提供基底的步驟，具體包括：

提供第一介質層；

在所述第一介質層上形成刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上形成第一光刻膠層；

采用第一光刻工藝圖案化所述第一光刻膠層，暴露所述開口的形成位置；

以圖案化的所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述刻蝕阻擋層，形成具有所述開口的所述刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上形成第二介質層。

上述方案中，所述第一光刻工藝采用I線光刻機執(zhí)行。

上述方案中，所述刻蝕的步驟，具體包括：

在所述基底上形成第二光刻膠層；

采用第二光刻工藝圖案化所述第二光刻膠層，暴露所述盲孔以及所述通孔的預設形成位置；

以圖案化的所述第二光刻膠層為掩膜，刻蝕所述基底，形成所述盲孔以及所述通孔。