[發(fā)明專利]一種多孔結(jié)構(gòu)的形成方法以及多孔結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910082487.5 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109904108A | 公開（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 嚴(yán)孟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/762 | 分類號(hào)： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;張穎玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多孔結(jié)構(gòu) 基底 盲孔 通孔 預(yù)設(shè) 刻蝕阻擋層 刻蝕 多層結(jié)構(gòu) 位置處 開口 覆蓋 | ||
1.一種多孔結(jié)構(gòu)的形成方法，所述多孔結(jié)構(gòu)包括形成在基底內(nèi)的通孔以及盲孔，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
提供基底，所述基底為多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)至少包括形成在所述基底內(nèi)部的刻蝕阻擋層；所述刻蝕阻擋層至少覆蓋所述盲孔的預(yù)設(shè)形成位置的下方，并在所述通孔的預(yù)設(shè)形成位置的下方具有開口；
沿所述盲孔以及所述通孔的預(yù)設(shè)形成位置，從所述基底的表面向下刻蝕；在所述盲孔的預(yù)設(shè)形成位置處，所述刻蝕停止在所述刻蝕阻擋層，形成所述盲孔；在所述通孔的預(yù)設(shè)形成位置處，所述刻蝕繼續(xù)向下進(jìn)行，形成所述通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多層結(jié)構(gòu)還包括層疊于所述刻蝕阻擋層以下的布線層；所述通孔的下端與所述布線層連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基底的步驟，具體包括：
提供第一介質(zhì)層；
在所述第一介質(zhì)層上形成刻蝕阻擋層；
在所述刻蝕阻擋層上形成第一光刻膠層；
采用第一光刻工藝圖案化所述第一光刻膠層，暴露所述開口的形成位置；
以圖案化的所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述刻蝕阻擋層，形成具有所述開口的所述刻蝕阻擋層；
在所述刻蝕阻擋層上形成第二介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一光刻工藝采用I線光刻機(jī)執(zhí)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕的步驟，具體包括：
在所述基底上形成第二光刻膠層；
采用第二光刻工藝圖案化所述第二光刻膠層，暴露所述盲孔以及所述通孔的預(yù)設(shè)形成位置；
以圖案化的所述第二光刻膠層為掩膜，刻蝕所述基底，形成所述盲孔以及所述通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多孔結(jié)構(gòu)包括彼此相鄰的多個(gè)所述通孔；所述刻蝕阻擋層在所述彼此相鄰的多個(gè)所述通孔的預(yù)設(shè)形成區(qū)域的下方具有不小于所述區(qū)域面積的開口。
7.一種多孔結(jié)構(gòu)，所述多孔結(jié)構(gòu)包括形成在基底內(nèi)的通孔以及盲孔，其特征在于，
在所述基底內(nèi)所述盲孔的下方具有刻蝕阻擋層；
在所述基底內(nèi)所述通孔的位置處，所述刻蝕阻擋層具有開口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底為多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)還包括層疊于所述刻蝕阻擋層以下的布線層；所述通孔的下端與所述布線層連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔的側(cè)壁具有平坦形貌。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多孔結(jié)構(gòu)包括彼此相鄰的多個(gè)所述通孔；在所述基底內(nèi)所述彼此相鄰的多個(gè)所述通孔的預(yù)設(shè)形成區(qū)域，所述刻蝕阻擋層具有不小于所述區(qū)域面積的開口。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
