[發明專利]使用不同蝕刻組合物的各向異性蝕刻有效
| 申請號: | 201910081548.6 | 申請日: | 2019-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN110098118B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | 克洛采克·約蘭塔;克里韋茨·托馬斯 | 申請(專利權)人: | 奧特斯奧地利科技與系統技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王暉;李丙林 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 不同 蝕刻 組合 各向異性 | ||
提供一種對部件承載件的導電層結構進行蝕刻以形成導體帶的方法,其中該方法包括以下步驟:使導電層結構經受第一蝕刻組合物,并且隨后使導電層結構經受與第一蝕刻組合物不同的第二蝕刻組合物。此外,提供了一種用于蝕刻導電層結構的裝置、導體帶、至少兩個導體帶的布置以及部件承載件。
技術領域
本發明涉及一種蝕刻導電層結構的方法(下文中,也簡稱為“蝕刻工藝”)、一種用于蝕刻導電層結構的裝置(下文中,也簡稱為“蝕刻裝置”)、導體帶(conductor?track)、至少兩個導體帶的布置以及部件承載件。
背景技術
在配備有一個或多個部件的部件承載件的產品功能增加并且這種部件的小型化增強以及越來越多的部件要安裝在諸如印刷電路板(PCB)的部件承載件上的背景下,正在采用越來越強大的具有若干部件的類陣列部件或封裝件,它們具有多個觸點或連接,其中這些觸點之間的空間越來越小。
特別地,PCB工業面臨的任務是調整所生產的印刷電路板的尺寸以順應小型化需求。由于鉆孔、電路路徑和它們離彼此的距離的新尺寸,有必要實現新的蝕刻技術,特別是新的銅蝕刻工藝。盡管銅蝕刻工藝是印刷電路板制作中最重要的步驟之一,但是在制造期間處理銅仍然是一項具有挑戰性的任務。在如圖1所示的常規各向同性銅蝕刻工藝中,當待蝕刻的銅膜在基板上形成并且部分被掩模覆蓋(作為用于圖案化的底片(negative)模板)時,由于各向同性蝕刻可以在掩模下方形成底切,導致粘附性差。另外,各向同性蝕刻可能不能形成非常精細的蝕刻的結構,而各向同性蝕刻可能被相應的精細掩模結構阻擋。
產生具有30微米及以下電路路徑的精細結構可能需要各向異性蝕刻工藝。在印刷電路板的情況下,期望蝕刻(特別是銅去除)更多地在豎直方向而不是在橫向方向上發生。由此,可以獲得規則結構并且可以避免近路。理想的各向異性蝕刻工藝如圖2所示,其中蝕刻僅在豎直方向上發生,而不在PCB的橫向方向上發生,因此不形成底切。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種蝕刻工藝和蝕刻裝置,其允許導電層結構的各向異性蝕刻和/或允許形成具有基本上為規則形狀的導體帶,特別是具有基本上豎直的側壁,從而提高了部件承載件諸如印刷電路板的整體質量。
為了實現以上定義的目的,根據本申請的實施方式提供了蝕刻導電層結構的方法、用于蝕刻導電層結構的裝置、導體帶、至少兩個導體帶的布置以及部件承載件。
根據本發明的示例性實施方式,對部件承載件的導電層結構進行蝕刻以形成導體帶的方法包括以下步驟:(i)使導電層結構經受第一蝕刻組合物,以及(ii)隨后(即在步驟(i)之后)使(預蝕刻的)導電層結構經受與第一蝕刻組合物不同的第二蝕刻組合物。
根據本發明的另一示例性實施方式,一種用于對部件承載件的導電層結構進行蝕刻以形成導體帶的裝置包括:第一蝕刻級,被配置用于使導電層結構經受第一蝕刻組合物;以及第二蝕刻級,被配置用于隨后使(預蝕刻的)導電層結構經受與第一蝕刻組合物不同的第二蝕刻組合物。
根據本發明的又一示例性實施方式,提供了一種具有基本上為矩形橫截面的導體帶,其中上部三分之一的橫截面積與中部三分之一的橫截面積之間的比率在介于0.8至1.2之間的范圍內,并且中部三分之一的橫截面積與下部三分之一的橫截面積之間的比率在介于0.8至1.2之間的范圍內。在實施方式中,導體帶可以通過如本文所述的蝕刻工藝和/或借助于如本文所述的蝕刻裝置形成。
根據本發明的又一示例性實施方式,提供了第一導體帶和側向直接相鄰的第二導體帶的布置,該第一導體和第二導體帶兩者都具有基本上為矩形的橫截面,其中導體帶的上平臺之間的距離與導體帶的下端部之間的距離之間的比率在介于0.7至1.3之間的范圍內。在實施方式中,該布置的第一導體帶和/或第二導體帶(特別是兩個導體帶)可以通過如本文所述的蝕刻工藝和/或借助于如本文所述的蝕刻裝置形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





