[發明專利]使用不同蝕刻組合物的各向異性蝕刻

有效

• 申請號: 201910081548.6
• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN110098118B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 克洛采克·約蘭塔;克里韋茨·托馬斯
• 申請（專利權）人: 奧特斯奧地利科技與系統技術有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王暉;李丙林

1.一種對部件承載件的導電層結構進行蝕刻以形成導體帶的方法，其中，所述方法包括以下步驟：

(i)使所述導電層結構經受第一蝕刻組合物，從而形成具有底表面和側壁表面的凹陷，其中，所述第一蝕刻組合物包括蝕刻劑和蝕刻抑制劑；

(ii)在步驟(i)之后，使所述導電層結構經受第二蝕刻組合物，所述第二蝕刻組合物與所述第一蝕刻組合物不同，

其中，所述第二蝕刻組合物被配置用于：從所述凹陷的所述底表面選擇性地去除所述蝕刻抑制劑；和/或從所述凹陷的所述底表面選擇性地去除在施加所述第一蝕刻組合物之后形成的抑制層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二蝕刻組合物具有7或更高的pH值。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述第二蝕刻組合物的pH值高于所述第一蝕刻組合物的pH值。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述第二蝕刻組合物的pH值比所述第一蝕刻組合物的pH值高至少3個pH單位。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述第二蝕刻組合物還包括流變添加劑。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述流變添加劑選自由二氧化硅、羥乙基纖維素、頁硅酸鹽和尿素組成的組。

7.根據權利要求1或2所述的方法，還包括以下步驟：

(iii)在步驟(ii)之后，使所述導電層結構經受第三蝕刻組合物，所述第三蝕刻組合物與所述第一蝕刻組合物和所述第二蝕刻組合物都不同。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第三蝕刻組合物包括蝕刻劑并且不含蝕刻抑制劑。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中，使所述導電層結構經受減法蝕刻程序以形成所述導體帶。

10.一種用于對部件承載件的導電層結構進行蝕刻以形成導體帶的裝置(100)，其中，所述裝置包括：

第一蝕刻級(110)，所述第一蝕刻級被配置用于使所述導電層結構經受第一蝕刻組合物，從而形成具有底表面和側壁表面的凹陷，其中，所述第一蝕刻組合物包括蝕刻劑和蝕刻抑制劑；

第二蝕刻級(120)，所述第二蝕刻級被配置用于隨后使所述導電層結構經受第二蝕刻組合物，所述第二蝕刻組合物與所述第一蝕刻組合物不同，

其中，所述第二蝕刻組合物被配置用于：從所述凹陷的所述底表面選擇性地去除所述蝕刻抑制劑；和/或從所述凹陷的所述底表面選擇性地去除在施加所述第一蝕刻組合物之后形成的抑制層。

11.根據權利要求10所述的裝置(100)，還包括第三蝕刻級(130)，所述第三蝕刻級被配置用于隨后使所述導電層結構經受第三蝕刻組合物，所述第三蝕刻組合物與所述第一蝕刻組合物和所述第二蝕刻組合物都不同。

12.一種具有矩形的橫截面的導體帶，所述導體帶是通過根據權利要求1至9中任一項所述的方法和/或根據權利要求10或11所述的裝置形成的，其中，上部三分之一的橫截面積(A1)與中部三分之一的橫截面積(A2)之間的比率在介于0.8至1.2之間的范圍內，并且所述中部三分之一的橫截面積(A2)與下部三分之一的橫截面積(A3)之間的比率在介于0.8至1.2之間的范圍內。

13.一種第一導體帶和側向直接相鄰的第二導體帶的設置，所述設置的第一導體帶和/或第二導體帶是通過根據權利要求1至9中任一項所述的方法和/或根據權利要求10或11所述的裝置形成的，所述第一導體帶和所述第二導體帶兩者都具有矩形的橫截面，其中，所述導體帶的上平臺之間的距離(A)與所述導體帶的下端部之間的距離(B)之間的比率在介于0.7至1.3之間的范圍內。