[發(fā)明專利]諧振器制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910080487.1
• 申請(qǐng)日: 2019-01-28
• 公開（公告）號(hào): CN110868189A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李亮;呂鑫;梁東升;劉青林;馬杰;崔玉興;張力江;劉相伍;楊志;商慶杰;李宏軍;錢麗勛;李麗;李豐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): H03H9/15
• 分類號(hào): H03H9/15;H03H3/02
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 郝偉

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種諧振器制作方法。該諧振器制作方法包括：對(duì)襯底進(jìn)行預(yù)處理，形成預(yù)設(shè)厚度的介質(zhì)層；對(duì)介質(zhì)層的預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行離子注入處理；對(duì)經(jīng)過離子注入處理后的介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕或腐蝕，形成犧牲材料部分；所述犧牲材料部分的形狀為頂面為平面且豎截面呈橋狀結(jié)構(gòu)；在已形成犧牲材料部分的襯底上形成多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；去除所述犧牲材料部分。上述諧振器制作方法相對(duì)于傳統(tǒng)的諧振器制作方法對(duì)諧振器工作區(qū)域的表面粗糙度更為容易控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種諧振器制作方法。

背景技術(shù)

諧振器可以用于各種電子應(yīng)用中實(shí)施信號(hào)處理功能，例如，一些蜂窩式電話及其它通信裝置使用諧振器來實(shí)施用于所發(fā)射和/或所接收信號(hào)的濾波器。可根據(jù)不同應(yīng)用而使用數(shù)種不同類型的諧振器，例如薄膜體聲諧振器(FBAR)、耦合式諧振器濾波器(SBAR)、堆疊式體聲諧振器(SBAR)、雙重體聲諧振器(DBAR)及固態(tài)安裝式諧振器(SMR)。

典型的聲諧振器包括上電極、下電極、位于上下電極之間的壓電材料、位于下電極下面的聲反射結(jié)構(gòu)以及位于聲反射結(jié)構(gòu)下面的襯底。通常將上電極、壓電層、下電極三層材料在厚度方向上重疊的區(qū)域定義為諧振器的有效區(qū)域。當(dāng)在電極之間施加一定頻率的電壓信號(hào)時(shí)，由于壓電材料所具有的逆壓電效應(yīng)，有效區(qū)域內(nèi)的上下電極之間會(huì)產(chǎn)生垂直方向傳播的聲波，聲波在上電極與空氣的交界面和下電極下的聲反射結(jié)構(gòu)之間來回反射并在一定頻率下產(chǎn)生諧振。

傳統(tǒng)的諧振器制作方法，空氣腔的制作工藝復(fù)雜、難度較大，容易導(dǎo)致成品率低、一致性差。

發(fā)明內(nèi)容

基于上述問題，本發(fā)明提供一種空氣腔的制作工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、難度較小的諧振器制作方法。

本發(fā)明實(shí)施例的提供一種諧振器制作方法，包括：

對(duì)襯底進(jìn)行預(yù)處理，形成預(yù)設(shè)厚度的介質(zhì)層；

對(duì)介質(zhì)層的預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行離子注入處理；

對(duì)經(jīng)過離子注入處理后的介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕或腐蝕，形成犧牲材料部分；所述犧牲材料部分的形狀為頂面為平面且豎截面呈橋狀結(jié)構(gòu)；

在已形成犧牲材料部分的襯底上形成多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；

去除所述犧牲材料部分。

可選的，所述對(duì)介質(zhì)層的預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行離子注入處理，包括：

在介質(zhì)層的預(yù)設(shè)區(qū)域形成屏蔽層，在形成屏蔽層后的整個(gè)介質(zhì)層進(jìn)行離子注入處理。

可選的，所述在介質(zhì)層的預(yù)設(shè)區(qū)域形成屏蔽層，包括：

在介質(zhì)層的預(yù)設(shè)區(qū)域形成邊緣厚度小于中部厚度的屏蔽層。

可選的，所述屏蔽層的中部區(qū)域?yàn)槠矫妫矣芍胁繀^(qū)域的邊緣到屏蔽層邊緣的厚度逐漸減小。

可選的，所述屏蔽層的中部區(qū)域的邊緣與所述屏蔽層邊緣之間為圓滑過渡的平滑曲面。

可選的，所述平滑曲面包括圓滑過渡連接的第一曲面和第二曲面。

可選的，所述第一曲面的豎截面呈倒拋物線狀，所述第二曲面的豎截面呈拋物線狀，且第一曲面位于第二曲面之下。

可選的，所述平滑曲面與所述襯底接觸處的切面與所述襯底的夾角小于45度。

可選的，所述對(duì)形成屏蔽層后的整個(gè)介質(zhì)層進(jìn)行離子注入處理，包括：

在包含屏蔽層區(qū)域的整個(gè)介質(zhì)層上注入預(yù)設(shè)劑量和預(yù)設(shè)能量的摻雜雜質(zhì)。

可選的，所述對(duì)形成屏蔽層后的整個(gè)介質(zhì)層進(jìn)行離子注入處理，包括：