[發明專利]諧振器制作方法

在審

• 申請號: 201910080487.1
• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN110868189A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 李亮;呂鑫;梁東升;劉青林;馬杰;崔玉興;張力江;劉相伍;楊志;商慶杰;李宏軍;錢麗勛;李麗;李豐
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H03H9/15
• 分類號: H03H9/15;H03H3/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 郝偉

1.一種諧振器制作方法，其特征在于，包括：

對襯底進行預處理，形成預設厚度的介質層；

對介質層的預設區域進行離子注入處理；

對經過離子注入處理后的介質層進行刻蝕或腐蝕，形成犧牲材料部分；所述犧牲材料部分的形狀為頂面為平面且豎截面呈橋狀結構；

在已形成犧牲材料部分的襯底上形成多層結構，所述多層結構由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；

去除所述犧牲材料部分。

2.根據權利要求1所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述對介質層的預設區域進行離子注入處理，包括：

在介質層的預設區域形成屏蔽層，在形成屏蔽層后的整個介質層進行離子注入處理。

3.根據權利要求2所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述在介質層的預設區域形成屏蔽層，包括：

在介質層的預設區域形成邊緣厚度小于中部厚度的屏蔽層，且屏蔽層的中部區域為平面。

4.根據權利要求3所述的諧振器制作方法，其特征在于，對于所述屏蔽層，由中部區域的邊緣到屏蔽層邊緣的厚度逐漸減小。

5.根據權利要求4所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述屏蔽層的中部區域的邊緣與所述屏蔽層邊緣之間為圓滑過渡的平滑曲面。

6.根據權利要求5所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述平滑曲面包括圓滑過渡連接的第一曲面和第二曲面。

7.根據權利要求6所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第一曲面的豎截面呈倒拋物線狀，所述第二曲面的豎截面呈拋物線狀，且第一曲面位于第二曲面之下。

8.根據權利要求5所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述平滑曲面與所述襯底接觸處的切面與所述襯底的夾角小于45度。

9.根據權利要求2至8任一項所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述對形成屏蔽層后的整個介質層進行離子注入處理，包括：

在包含屏蔽層區域的整個介質層上注入預設劑量和預設能量的摻雜雜質。

10.根據權利要求2至8任一項所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述對形成屏蔽層后的整個介質層進行離子注入處理，包括：

在包含屏蔽層區域的整個介質層上多次注入預設劑量和預設能量的摻雜雜質，其中每次注入的預設劑量和預設能量均不相同或不盡相同。

11.根據權利要求10所述的諧振器制作方法，其特征在于，每次離子注入的方向均與襯底垂直，或

每次離子注入的方向均與襯底呈不為90度的預設角度，或

一部分次數的離子注入的方向與襯底垂直，其余部分次數的離子注入的方向與襯底呈不為90度的預設角度。

12.根據權利要求10所述的諧振器制作方法，其特征在于，預設能量按照大小排序的各次離子注入中的預設劑量關系為由小到大再由大到小。

13.根據權利要求2所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述在介質層的預設區域形成屏蔽層，對形成屏蔽層后的整個介質層進行離子注入處理，包括：

A、在介質層的預設區域形成厚度一致的屏蔽層；

B、在形成屏蔽層區域的整個介質層上注入預設劑量和預設能量的摻雜雜質，并去除蓋屏蔽層；

循環多次執行去除該屏蔽層以及步驟A和B，且各次離子注入對應的預設區域、預設劑量、預設能量均不相同或不盡相同。

14.根據權利要求13所述的諧振器制作方法，其特征在于，多次離子注入中預設能量與預設區域大小呈反比關系，且較大的預設區域包含較小的預設區域。