[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 201910075399.2 | 申請日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN111490065A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | 林芳禾;林柏彣;張簡志強;丁景隆 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1343;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨;侯奇慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
本發明提供了一種顯示設備,其包括第一基板、導電層以及填充層。第一基板具有基板上表面,基板上表面具有至少一凹陷。導電層設置于第一基板的基板上表面上,且導電層的至少一部分對應于凹陷。至少部分填充層位于凹陷內。
技術領域
本發明涉及一種顯示設備,特別是涉及一種填補了其基板凹陷的顯示設備。
背景技術
在現有的電子裝置中,顯示設備是由基板以及設置在基板上的多個膜層與各式電子元件所構成,以達到顯示畫面的功能。由于顯示設備具有外型輕薄、耗電量少以及無輻射污染等特性,因此已被廣泛地應用在各式攜帶式或穿戴式電子產品例如筆記本計算機(notebook)、智能型手機(smart phone)、手表以及車用顯示器等,以提供更方便的信息傳遞與顯示。
然而,顯示設備所使用的基板有時會具有不平整的結構,例如對基板進行物理性或化學性減薄的過程中可能會在其表面產生凹陷。假使未對凹陷進行對應的處理,此些凹陷會影響光線的行進路徑,使得顯示設備在顯示畫面時會產生異常的亮點,進而影響顯示質量。為了減少凹陷,傳統是通過對基板表面進行研磨拋光來去除凹陷,但此方式具有制程時間長與制程成本高的缺點,進而影響顯示設備的產率與制造成本。
發明內容
本發明提供了一種顯示設備,其包括第一基板、導電層以及填充層。第一基板具有基板上表面,基板上表面具有至少一凹陷。導電層設置于第一基板的基板上表面上,且導電層的至少一部分對應于凹陷。至少部分填充層位于凹陷內。
附圖說明
圖1所示為本發明第一實施例的顯示設備的第一基板結構于制造過程中的剖面示意圖。
圖2所示為本發明第一實施例的顯示設備的第一基板結構的剖面示意圖。
圖3所示為本發明第二實施例的顯示設備的第一基板結構的剖面示意圖。
圖4所示為本發明第三實施例的顯示設備的第一基板結構于制造過程中的剖面示意圖。
圖5所示為本發明第三實施例的顯示設備的第一基板結構的剖面示意圖。
圖6所示為本發明第四實施例的顯示設備的第一基板結構的剖面示意圖。
圖7所示為本發明第五實施例的顯示設備的第一基板結構于制造過程中的剖面示意圖。
圖8所示為本發明第五實施例的顯示設備的第一基板結構的剖面示意圖。
圖9所示為本發明一實施例的顯示設備的剖面示意圖。
附圖標記說明:100、200、300、400、500、SB1-第一基板結構;110-第一基板;110a-基板上表面;110d-凹陷;120-導電層;122-第一導電部;124-第二導電部;130-黏著層;132、312-填充部;134、314-平面部;140-偏光層;310-填料;D1-深度;DV-顯示設備;ML-介質層;P1、P2-最高點;SB2-第二基板結構;T1-第一厚度;T2-第二厚度。
具體實施方式
通過參考以下的詳細描述并同時結合附圖可以理解本發明,須注意的是,為了使讀者能容易了解及使圖式簡潔,本發明中的多張圖式只繪出顯示設備的一部分,且圖式中的特定元件并非依照實際比例繪圖。此外,圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意,并非用來限制本發明的范圍。
本發明通篇說明書與后附的權利要求中會使用某些詞匯來指稱特定元件。本領域技術人員應理解,電子設備制造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文并不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與權利要求書中,「含有」與「包括」等詞為開放式詞語,因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





