[發(fā)明專利]顯示設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910075399.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111490065A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林芳禾;林柏彣;張簡(jiǎn)志強(qiáng);丁景隆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;G02F1/1343;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨;侯奇慧 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
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1.一種顯示設(shè)備,其特征在于,包括:
一第一基板,所述第一基板具有一基板上表面,所述基板上表面具有至少一凹陷;
一導(dǎo)電層,設(shè)置于所述第一基板的所述基板上表面上,且所述導(dǎo)電層的至少一部分對(duì)應(yīng)于所述凹陷;以及
一填充層,至少部分所述填充層位于所述凹陷內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述填充層設(shè)置于所述導(dǎo)電層上。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述導(dǎo)電層具有一第一導(dǎo)電部以及一第二導(dǎo)電部,所述第一導(dǎo)電部位于所述凹陷內(nèi),所述第二導(dǎo)電部位于所述凹陷外,且所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部彼此連接。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述填充層包括一填充部,所述填充部位于所述凹陷內(nèi),并與所述導(dǎo)電層的所述第一導(dǎo)電部至少部分重迭。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述填充層更包括一平面部,所述平面部至少位于所述填充部上,并與所述填充部以及所述導(dǎo)電層至少部分重迭。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述填充部及所述平面部的厚度總和與所述凹陷的深度的一比值范圍為1到11。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述填充層具有一第一折射系數(shù),所述導(dǎo)電層具有一第二折射系數(shù),所述第一折射系數(shù)與所述第二折射系數(shù)的一差距范圍為0.01至0.8。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括一偏光層,設(shè)置在所述填充層上。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括一黏著層,設(shè)置在所述偏光層與所述填充層之間。
10.如權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述填充層的所述平面部的一厚度范圍為5微米到50微米。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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