[發明專利]薄膜晶體管陣列基板和包括其的有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201910073707.8 | 申請日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN110098196A | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | 裴漢成;郭源奎 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 下電極 薄膜晶體管陣列基板 基板 電容器 薄膜晶體管 層間絕緣層 有機發光顯示裝置 節點連接線 開口 閉合曲線形狀 覆蓋電容器 重疊區域 電連接 介電層 分立 | ||
本發明提供一種薄膜晶體管陣列基板和包括其的有機發光顯示裝置。薄膜晶體管陣列基板包括基板、至少一個薄膜晶體管、電容器、層間絕緣層和節點連接線。至少一個薄膜晶體管位于基板上。電容器位于基板上,并且包括:位于基板上的下電極;與下電極重疊的上電極,上電極包括具有單個閉合曲線形狀的開口;以及位于下電極與上電極之間的介電層。層間絕緣層覆蓋電容器。節點連接線位于層間絕緣層上,并且將電容器電連接到至少一個薄膜晶體管。下電極與上電極的重疊區域被開口劃分為兩個分立的區域。
相關申請的交叉引用
本申請要求2018年1月31日提交的韓國專利申請第10-2018-0012342號的優先權及其權益,由此為所有目的通過引用將該韓國專利申請并入本文,如同在本文中充分地闡述一樣。
技術領域
一個或多個示例性實施例一般涉及顯示設備,并且更具體地,涉及薄膜晶體管陣列基板和包括該薄膜晶體管陣列基板的有機發光顯示裝置。
背景技術
有機發光顯示裝置通常包括兩個電極以及這兩個電極之間的有機發射層。通過一個電極注入的電子和通過另一個電極注入的空穴在有機發射層中結合以產生激子,激子釋放能量從而發光。這樣的有機發光顯示裝置可以包括多個像素,多個像素包括是自發光器件的有機發光器件。電容器和多個薄膜晶體管形成在每個像素中以驅動有機發光器件。然而,存在盡管存在工藝誤差仍確保有機發光顯示裝置的性能均勻并且表現出均勻特性的需求。
在該部分公開的上述信息僅用于對本發明構思的背景的理解,并且因此可能包含不構成現有技術的信息。
發明內容
一個或多個示例性實施例能夠提供包括電容器的薄膜晶體管陣列基板,該電容器提供對工藝偏差不敏感的電容。
一個或多個示例性實施例能夠提供包括薄膜晶體管陣列基板的有機發光顯示裝置,該薄膜晶體管陣列基板包括提供對工藝偏差不敏感的電容的電容器。
附加方面將在下面的具體實施方式中闡述并且將部分地從本公開中顯而易見,或者可以通過本發明構思的實踐來領會。
根據一些示例性實施例,薄膜晶體管陣列基板包括基板、至少一個薄膜晶體管、電容器、層間絕緣層和節點連接線。至少一個薄膜晶體管位于基板上。電容器位于基板上,并且包括:位于基板上的下電極;與下電極重疊的上電極,上電極包括具有單個閉合曲線形狀的開口;以及位于下電極與上電極之間的介電層。層間絕緣層覆蓋電容器。節點連接線位于層間絕緣層上,并且將電容器電連接到至少一個薄膜晶體管。下電極與上電極的重疊區域被開口劃分為兩個分立的區域。
在一些示例性實施例中,開口可以暴露下電極在一方向上的相對端。
在一些示例性實施例中,在平面圖中觀看時,上電極的邊緣可以與下電極的邊緣向外隔開,上電極的邊緣可以圍繞下電極的邊緣。
在一些示例性實施例中,薄膜晶體管陣列基板可以進一步包括位于開口中并且穿過層間絕緣層和介電層的節點接觸孔。節點連接線的第一端可以通過節點接觸孔連接到下電極。
在一些示例性實施例中,在平面圖中觀看時,開口的尺寸可以大于節點接觸孔的尺寸。
在一些示例性實施例中,薄膜晶體管陣列基板可以進一步包括:在第一方向上延伸的掃描線以及在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數據線。開口可以具有在第一方向上包括較長的邊的矩形形狀。
在一些示例性實施例中,薄膜晶體管陣列基板可以進一步包括:在第一方向上延伸的掃描線以及在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數據線。開口可以具有在第二方向上包括較長的邊的矩形形狀。
在一些示例性實施例中,薄膜晶體管陣列基板可以進一步包括與節點連接線位于同一層中的驅動電壓線。驅動電壓可以通過驅動電壓線被傳輸。上電極可以通過接觸孔連接到驅動電壓線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





