[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板和包括其的有機(jī)發(fā)光顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910073707.8
• 申請(qǐng)日: 2019-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN110098196A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴漢成;郭源奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 宋穎娉;康泉

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的至少一個(gè)薄膜晶體管；

位于所述基板上的電容器，所述電容器包括：位于所述基板上的下電極；與所述下電極重疊的上電極，所述上電極包括具有單個(gè)閉合曲線形狀的開口；以及位于所述下電極與所述上電極之間的介電層；

覆蓋所述電容器的層間絕緣層；以及

節(jié)點(diǎn)連接線，位于所述層間絕緣層上，并且將所述電容器電連接到所述至少一個(gè)薄膜晶體管，

其中所述下電極與所述上電極的重疊區(qū)域被所述開口劃分為兩個(gè)分立的區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述開口暴露所述下電極的相對(duì)端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，在平面圖中觀看時(shí)，所述上電極的邊緣與所述下電極的邊緣向外隔開，所述上電極的所述邊緣圍繞所述下電極的所述邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，進(jìn)一步包括：

位于所述開口中并且穿過所述層間絕緣層和所述介電層的節(jié)點(diǎn)接觸孔，

其中所述節(jié)點(diǎn)連接線的第一端通過所述節(jié)點(diǎn)接觸孔連接到所述下電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，在平面圖中觀看時(shí)，所述開口的尺寸大于所述節(jié)點(diǎn)接觸孔的尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，進(jìn)一步包括：

在第一方向上延伸的掃描線；以及

在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，

其中所述開口具有在所述第一方向上包括較長的邊的矩形形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，進(jìn)一步包括：

在第一方向上延伸的掃描線；以及

在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，

其中所述開口具有在所述第二方向上包括較長的邊的矩形形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，進(jìn)一步包括：

與所述節(jié)點(diǎn)連接線位于同一層中的驅(qū)動(dòng)電壓線，

其中驅(qū)動(dòng)電壓通過所述驅(qū)動(dòng)電壓線被傳輸，并且

其中所述上電極通過接觸孔連接到所述驅(qū)動(dòng)電壓線。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，進(jìn)一步包括：

與所述電容器重疊的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，

其中所述下電極形成所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，所述下電極與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O是等同的。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層具有彎曲形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其中：

所述至少一個(gè)薄膜晶體管包括補(bǔ)償薄膜晶體管；

所述節(jié)點(diǎn)連接線的第一端連接到所述下電極；并且

所述節(jié)點(diǎn)連接線的第二端連接到所述補(bǔ)償薄膜晶體管的補(bǔ)償漏區(qū)。

12.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：

基板；

位于所述基板上的驅(qū)動(dòng)電壓線，所述驅(qū)動(dòng)電壓線被配置為傳輸驅(qū)動(dòng)電壓；

在第一方向上在所述基板上延伸的掃描線；

與所述掃描線絕緣并且在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線；

電連接到所述驅(qū)動(dòng)電壓線、所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的像素電路，所述像素電路包括電容器和至少一個(gè)薄膜晶體管，所述電容器包括：位于所述基板上的下電極；與所述下電極重疊的上電極，所述上電極包括具有單個(gè)閉合曲線形狀的開口；以及位于所述下電極與所述上電極之間的介電層；

覆蓋所述電容器的層間絕緣層；以及

節(jié)點(diǎn)連接線，被布置在所述層間絕緣層上，并且將所述電容器電連接到所述至少一個(gè)薄膜晶體管，

其中所述下電極與所述上電極的重疊區(qū)域被所述開口劃分為兩個(gè)分立的區(qū)域。