[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910072644.4 | 申請日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN110190050A | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋垠錫;金燦景;黃泰周 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/538;H01L23/49 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 潘軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 半導(dǎo)體封裝 連接層 存儲器芯片 緩沖器芯片 控制器芯片 第一數(shù)據(jù) 連接構(gòu)件 數(shù)據(jù)傳輸 傳輸線 存儲器帶寬 連接存儲器 數(shù)據(jù)傳輸線 信號完整性 存儲器 傳輸 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝,包括:
存儲器子封裝,包括第一連接層以及設(shè)置在所述第一連接層上的多個存儲器芯片;
邏輯子封裝,包括第二連接層、設(shè)置在所述第二連接層上的控制器芯片、以及連接到所述控制器芯片和所述多個存儲器芯片的緩沖器芯片;以及
多個封裝間連接構(gòu)件,每個封裝間連接構(gòu)件連接所述存儲器子封裝和所述邏輯子封裝,
其中,所述緩沖器芯片經(jīng)由各自具有第一數(shù)據(jù)傳輸速率的多條第一數(shù)據(jù)傳輸線連接到所述多個存儲器芯片,所述緩沖器芯片經(jīng)由各自具有第二數(shù)據(jù)傳輸速率的多條第二數(shù)據(jù)傳輸線連接到所述控制器芯片,并且所述第一數(shù)據(jù)傳輸速率小于所述第二數(shù)據(jù)傳輸速率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述多條第一數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)量大于所述多條第二數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述多條第一數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)量是所述多條第二數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)量的偶數(shù)倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述多條第一數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)量與所述第一數(shù)據(jù)傳輸速率的乘積基本等同于所述多條第二數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)量與所述第二數(shù)據(jù)傳輸速率的乘積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述多條第一數(shù)據(jù)傳輸線中的每一條的電阻大于所述多條第二數(shù)據(jù)傳輸線中的每一條的電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述緩沖器芯片包括串并轉(zhuǎn)換電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述緩沖器芯片與所述第一連接層間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述邏輯子封裝是扇出類型。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述邏輯子封裝還包括設(shè)置在所述控制器芯片上方的第三連接層以及多個層間連接構(gòu)件,每個層間連接構(gòu)件在所述第三連接層和所述第二連接層之間延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述緩沖器芯片設(shè)置在所述第三連接層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述緩沖器芯片與所述控制器芯片并排設(shè)置在所述第二連接層的頂表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述緩沖器芯片設(shè)置在所述第二連接層的底表面上。
13.一種半導(dǎo)體封裝,包括:
第一連接層,包括第一絕緣層和多個第一導(dǎo)電圖案;
第二連接層,設(shè)置在所述第一連接層下方,所述第二連接層包括第二絕緣層和第二導(dǎo)電圖案;
第三連接層,設(shè)置在所述第一連接層和所述第二連接層之間,所述第三連接層包括第三絕緣層和多個第三導(dǎo)電圖案;
多個封裝間連接構(gòu)件,每個封裝間連接構(gòu)件連接所述第三連接層和所述第一連接層;
多個層間連接構(gòu)件,每個層間連接構(gòu)件在所述第三連接層和所述第二連接層之間延伸;
所述第一連接層上的多個存儲器芯片;
所述第二連接層上的控制器芯片;以及
所述第三連接層上的緩沖器芯片,
其中,所述緩沖器芯片經(jīng)由各自具有第一數(shù)據(jù)傳輸速率的多條第一數(shù)據(jù)傳輸線連接到所述多個存儲器芯片,所述緩沖器芯片經(jīng)由各自具有第二數(shù)據(jù)傳輸速率的多條第二數(shù)據(jù)傳輸線連接到所述控制器芯片,并且所述第一數(shù)據(jù)傳輸速率小于所述第二數(shù)據(jù)傳輸速率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述多條第一數(shù)據(jù)傳輸線中的每一條包括所述多個第一導(dǎo)電圖案中的至少一個、所述多個封裝間連接構(gòu)件中的一個、以及所述多個第三導(dǎo)電圖案中的至少一個。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





