[發明專利]一種達林頓晶體管參數的測試方法

有效

• 申請號: 201910071848.6
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN109765474B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 龔利汀;易瓊紅;左勇強
• 申請（專利權）人: 無錫固電半導體股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種達林頓晶體管參數的測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一. 選取被測試達林頓晶體管，并將其放置到測試壓爪（2）中，利用連接線（1）將測試壓爪（2）和測試系統（5）的測試站（3）接上；

步驟二. 測試BVCEO參數：在示波器上觀測BVCEO的波形，改變連接線（1）的長度，觀測是否消除自激震蕩；

步驟三. 若消除自激震蕩，則BVCEO測試值為實際值；若沒有消除自激震蕩，則進行步驟四；

步驟四. 在測試站（3）的測試主機（4）上，選通K210，并閉合，即在測試站（3）的BV、CV端口間并入300P/2KV阻尼電容，通過示波器觀測BVCEO的波形，判斷是否消除自激震蕩；

步驟五. 若消除自激震蕩，則BVCEO測試值為實際值；若沒有消除自激震蕩，則進行步驟六；

步驟六. 在測試站（3）的測試主機（4）上，再選通K202，并閉合，即在測試站（3）內部的偏置電流IC回路中串聯10KΩ電阻，通過示波器觀測BVCEO的波形，可完全消除自激震蕩，輸出BVCEO測試值；

步驟七. 測試飽和壓降VCES參數：先選幾十只達林頓晶體管測試其放大倍數HFE值的范圍；

步驟八. 再根據公式HFE=IC/IB，求基極電流IB的值；其中，達林頓晶體管標準值參數飽和壓降VCES2.0V，集電極電流IC=5A；

步驟九. 將飽和壓降測試參數VCES2.0V及求得的基極電流IB值輸入測試程序中，測出飽和壓降VCES的實際測試值。

2.根據權利要求1所述的一種達林頓晶體管參數的測試方法，其特征在于：在測試BVCEO參數時，采用示波器來監控BVCEO的波形；

若觀測到BVCEO的波形發生高低抖動變化，且曲線有毛邊，說明BVCEO測試過程中產生了自激震蕩，導致BVCEO參數測試不準；

當測試站（3）的測試頻率f_測試與達林頓晶體管的基極B、集電極C連接線間的分布電容C_分耦合的空間干擾信號f_分一致時，則BVCEO測試過程中會產生自激震蕩。

3.根據權利要求2所述的一種達林頓晶體管參數的測試方法，其特征在于：消除自激震蕩：根據公式f_分=1/K*R_分*C_分，f_測試=1/K*R*C_結電容，其中，R_分為達林頓晶體管的基極B、集電極C連接線間的電阻；C_分為達林頓晶體管的基極B、集電極C連接線間的分布電容；C_結電容為測試站（3）端口CV、BV間的電容；R為測試站（3）內部偏置電流IC回路的電阻；K為常數；

若增大f_分，則打破f_分=f_測試的條件，自激震蕩停止：減短測試壓爪（2）和測試站（3）間連接線（1）的長度，相當于減小了連接線（1）正對面積S，根據公式C_分=εS/4πkd，可降低C_分，進而改變了f_分；

若降低f_測試，則打破f_分=f_測試的條件，自激震蕩停止：

a、在測試站（3）的BV、CV端口間并入300P/2KV阻尼電容，等效于C_結電容增大，進而改變了f_測試；

b、在測試站（3）內部的偏置電流IC回路中串聯10KΩ阻尼電阻，等效于R增大，進而也改變了f_測試；

通過改變f_分或f_測試均可以消除自激震蕩。