[發明專利]一種達林頓晶體管參數的測試方法有效

申請號：	201910071848.6	申請日：	2019-01-25
公開（公告）號：	CN109765474B	公開（公告）日：	2021-03-05
發明（設計）人：	龔利汀;易瓊紅;左勇強	申請（專利權）人：	無錫固電半導體股份有限公司
主分類號：	G01R31/26	分類號：	G01R31/26
代理公司：	無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104	代理人：	曹祖良
地址：	214028 江***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種達林頓晶體管參數測試方法
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【說明書】：

本發明屬于達林頓晶體管技術領域，涉及一種達林頓晶體管參數的測試方法，包括如下步驟：在測試BVCEO參數過程中，通過示波器觀測是否有自激震蕩；在達林頓晶體管的基極B、集電極C間并入300P/2KV阻尼電容；在偏置電流IC的回路中串聯10KΩ電阻來消除自激震蕩；在測試飽和壓降VCES參數時，通過降低集電極電流IB的輸入值，得出最終測試飽和壓降VCES的值，有效避免了因Ib電流過大，導致的產品燒壞；本發明的測試方法可以有效的消除達林頓管BVCEO誤測的問題，同時通過減小IB電流值來避免產品被燒壞，提高了達林頓管的質量及可靠性。

技術領域

本發明涉及一種測試方法，具體是一種達林頓晶體管參數的測試方法，屬于達林頓晶體管技術領域。

背景技術

達林頓晶體管是一種半導體復合管，由于其結構為兩個晶體管復合而成，所以其放大倍數大，有的幾千倍，甚至上萬倍。達林頓管因其有很高的放大系數，廣泛應用于電力電子，發動機，發電機組，紡織機械，汽車空調風扇調節器中。一般晶體管的參數BVCEO，在耐壓擊穿點（B點）附近，隨著電流的增大，BVCEO也增大（正阻性）如圖1所示。而達林頓管卻相反，隨著電流的增大，BVCEO先增大到A點，然后卻減小（負阻性）到耐壓擊穿點（B點），即曲線出現了回掃現象，然后發生擊穿，如圖2所示；在實際測試應用中，由于回掃現象導致經常發現達林頓晶體管的BVCEO電壓測試偏大，導致不準確；同時測試參數飽和壓降VCES時，由于基極電流IB太大，還出現原本測試合格的達林頓管在復測時發現有產品燒壞，多次復測會多次發現達林頓管損壞的問題，嚴重影響了達林頓管的質量及可靠性。

發明內容

本發明的目的是克服現有達林頓晶體管測試種問題，提供一種達林頓晶體管參數的測試方法，在測試BVCEO參數時，通過在測試站的BV和CV端口間并聯阻尼電容及在偏置電流IC的回路中串聯阻尼電阻，可以有效的消除達林頓管BVCEO誤測的問題；通過減小基極電流IB，可以避免產品被燒壞。

為實現以上技術目的，本發明的技術方案是：一種達林頓晶體管參數的測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一. 選取被測試達林頓晶體管，并將其放置到測試壓爪中，利用連接線將測試壓爪和測試系統的測試站接上；

步驟二. 測試BVCEO參數：在示波器上觀測BVCEO的波形，改變連接線的長度，觀測是否消除自激震蕩；

步驟三. 若消除自激震蕩，則BVCEO測試值為實際值；若沒有消除自激震蕩，則進行步驟四；

步驟四. 在測試站的測試主機上，選通K210，并閉合，即在測試站的BV、CV端口間并入300P/2KV阻尼電容，通過示波器觀測BVCEO的波形，判斷是否消除自激震蕩；

步驟五. 若消除自激震蕩，則BVCEO測試值為實際值；若沒有消除自激震蕩，則進行步驟六；

步驟六. 在測試站的測試主機上，再選通K202，并閉合，即在測試站內部的偏置電流IC回路中串聯10KΩ電阻，通過示波器觀測BVCEO的波形，可完全消除自激震蕩，輸出BVCEO測試值；

步驟七. 測試飽和壓降VCES參數：先選幾十只達林頓晶體管測試其放大倍數HFE值的范圍；

步驟八. 再根據公式HFE=IC/IB，求基極電流IB的值；其中，達林頓晶體管標準值參數飽和壓降VCES2.0V，集電極電流IC=5A；

步驟九. 將飽和壓降測試參數VCES2.0V及求得的集電極電流IB值輸入測試程序中，測出飽和壓降VCES的實際測試值。