[發(fā)明專利]一種銅復(fù)合絲的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910071521.9 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109755138B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李和平;張益彬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常寧市隆源銅業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/49;C21D9/52;C22F1/08;C23C26/00;C25D3/50;C25D7/06 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種銅復(fù)合絲的制備方法,該方法以純度為97%以上的銅為原料通過兩段熔煉配合微波磁力攪拌進(jìn)行提純,然后制成銅桿坯料,并將制得的銅桿坯料進(jìn)行兩次三次拉拔,并在第一次拉拔后通過保護(hù)液進(jìn)行旋涂,在第二次拉拔后電鍍純鈀,在第三次拉拔并進(jìn)行退火處理后清洗即得成品。本發(fā)明導(dǎo)電性能強(qiáng)、耐腐蝕性能好、抗銹能力佳,并且韌度高,具有較好的抗拉強(qiáng)度,便于進(jìn)行連續(xù)化的工業(yè)生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及銅絲的制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種銅復(fù)合絲的制備方法。
背景技術(shù)
鍵合銅絲作為半導(dǎo)體器件芯片與外部電路主要的連接材料,且造價(jià)低,機(jī)械性能高,適合細(xì)小線徑和間距,具有良好的力學(xué)性能、電學(xué)性能和第二焊點(diǎn)穩(wěn)定性,可廣泛替代鍵合金絲應(yīng)用于微電子工業(yè)中。隨著IC封裝合金工藝技術(shù)及設(shè)備的改進(jìn),銅絲應(yīng)用從低端產(chǎn)品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多層線、小間距焊盤產(chǎn)品領(lǐng)域擴(kuò)展;而隨著封裝工藝進(jìn)步和使用領(lǐng)域的擴(kuò)展,市場對(duì)鍵合銅絲的性能要求逐步提高,促進(jìn)了銅絲生產(chǎn)商對(duì)銅絲工藝性能向趨近于金絲工藝性能方向發(fā)展。
鍵合銅絲的鍵合工藝成熟,代替了傳統(tǒng)的銅絲在生產(chǎn)和加工中存在一定的缺陷如:成球性差,球型比較硬,不利于銅絲鍵合,第二焊點(diǎn)極容易氧化,不易進(jìn)行連續(xù)焊接以及產(chǎn)品壽命短等缺點(diǎn)。但現(xiàn)有的鍵合銅絲大多數(shù)通過將銅絲制作為成品后,由于銅線本身容易氧化,再加上合金工藝不成熟等原因,需要在其表面涂有一層防氧化涂層的方式達(dá)到防氧化的效果,提高銅絲的防氧化性能。其防氧化層大都是直接噴涂在銅絲表面,長期使用造成磨損,導(dǎo)致防氧化層脫落,銅絲芯暴露在空氣外部,使得鍵合銅絲的防氧化性能變差,使用時(shí)容易被氧化性物體氧化,導(dǎo)致鍵合銅絲的使用壽命降低。因而開發(fā)出一種新型合金銅絲以增強(qiáng)其抗氧化性,從而促進(jìn)合金銅絲在集成電路中的大規(guī)模應(yīng)用就顯得尤為重要。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于提供一種銅復(fù)合絲的制備方法,解決了現(xiàn)有鍵合銅絲長期使用后有磨損,導(dǎo)致防護(hù)層脫落,防氧化和防酸化性能變差的缺陷,從而解決了傳統(tǒng)工藝條件下鍵合銅絲的使用壽命降低的問題。
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
一種銅復(fù)合絲的制備方法,包括以下操作步驟:
S1:將純度為97%以上的原料銅投入真空爐中,在1200~1350℃的條件下真空熔融,待固體原料完全熔融后進(jìn)行精煉,然后向真空爐內(nèi)融入惰性氣體,并繼續(xù)升溫到1450~1550℃進(jìn)行微波磁力攪拌,保持70~90min。
S2:取熔融后的銅液放入銅絲制作模具內(nèi)部,用牽引機(jī)組離合式真空上引得到直徑為15~20mm的銅桿坯料,并將上述銅桿坯料連續(xù)擠壓形成銅母線,并將銅母線進(jìn)行拉拔后得到直徑為450~600μm的粗銅絲,然后將粗銅絲進(jìn)行退火處理。
S3:按硅微粉4~6質(zhì)量份、二氧化硅3~4質(zhì)量份、聚二醇1~2質(zhì)量份、0.0005wt%的納米級(jí)高純鎳粉0.5~0.8質(zhì)量份加入真空爐中,加熱至750℃~900℃,保持并在300~900rad/min的轉(zhuǎn)速條件下攪拌30~50min,然后降溫至500~600℃,保持20~30min。
S4:用旋涂法將S3步驟制備的混合溶液涂覆在S2步驟條件下制備的粗銅絲表面。
S5:將在步驟S4的條件下涂覆完成的粗銅絲進(jìn)行第二次拉拔,將粗銅絲成直徑為100~150μm的半精銅絲,然后將半精銅絲進(jìn)行退火處理。
S6:取步驟S5中制得的半精銅絲進(jìn)行純鈀電鍍,電鍍的純鈀為3.0~3.5wt%的純鈀,純度要求大于99.99%。
S7:將步驟S6制得的半精銅絲進(jìn)行第三次拉拔,將半精銅絲拉拔成直徑80μm以下的精銅絲,然后將精銅絲進(jìn)行退火處理,處理后清洗即得成品。
在本發(fā)明中,所述步驟S1中精煉時(shí)間為20~25min,以將銅原料精煉至純度99.96%以上為準(zhǔn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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