[發(fā)明專利]一種銅復(fù)合絲的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910071521.9 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109755138B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李和平;張益彬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常寧市隆源銅業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/49;C21D9/52;C22F1/08;C23C26/00;C25D3/50;C25D7/06 |
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| 地址: | 421500 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 制備 方法 | ||
1.一種銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,包括以下操作步驟:
S1:將純度為97%以上的原料銅投入真空爐中,在1200~1350℃的條件下真空熔融,待固體原料完全熔融后進(jìn)行精煉,然后向真空爐內(nèi)融入惰性氣體,并繼續(xù)升溫到1450~1550℃進(jìn)行微波磁力攪拌,保持70~90min;
S2:取熔融后的銅液放入銅絲制作模具內(nèi)部,用牽引機(jī)組離合式真空上引得到直徑為15~20mm的銅桿坯料,并將上述銅桿坯料連續(xù)擠壓形成銅母線,并將銅母線進(jìn)行拉拔后得到直徑為450~600μm的粗銅絲,然后將粗銅絲進(jìn)行退火處理;
S3:按硅微粉4~6質(zhì)量份、二氧化硅3~4質(zhì)量份、聚二醇1~2質(zhì)量份、0.0005wt%的納米級(jí)高純鎳粉0.5~0.8質(zhì)量份加入真空爐中,加熱至750℃~900℃,保持并在300~900rad/min的轉(zhuǎn)速條件下攪拌30~50min,然后降溫至500~600℃,保持20~30min;
S4:用旋涂法將S3步驟制備的混合溶液涂覆在S2步驟條件下制備的粗銅絲表面;
S5:將在步驟S4的條件下涂覆完成的粗銅絲進(jìn)行第二次拉拔,將粗銅絲成直徑為100~150μm的半精銅絲,然后將所述半精銅絲進(jìn)行退火處理;
S6:取步驟S5中制得的半精銅絲進(jìn)行純鈀電鍍,電鍍的純鈀為3.0~3.5w t%的純鈀,純度要求大于99.99%;
S7:將步驟S6制得的半精銅絲進(jìn)行第三次拉拔,將半精銅絲拉拔成直徑80μm以下的精銅絲,然后將所述精銅絲進(jìn)行退火處理,處理后清洗即得成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中精煉時(shí)間為20~25min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中退火溫度為450~600℃,退火時(shí)間為30~60min,退火后進(jìn)行水冷處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,所述步驟S4中旋涂法的操作參數(shù)為:轉(zhuǎn)速250~400rad/min,操作溫度為60~70℃,粗銅絲表面的涂覆厚度為20~30μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,所述步驟S5中退火溫度為400~450℃,退火時(shí)間為40~50min,退火后進(jìn)行水冷處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,所述步驟S6中純鈀電鍍的工藝參數(shù)為:電鍍液pH值為7.2~7.9,電鍍液溫度為40~48℃,電流密度控制在0.2~1.5A/dm2,且鍍鈀層的厚度控制在4~6μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,所述步驟S7中退火溫度450~480℃,退火時(shí)間為30~60min,退火后自然冷卻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,所述步驟S7中進(jìn)行清洗時(shí)先用pH值為4.8~5.6的弱酸酸液流動(dòng)沖洗1~2min,然后經(jīng)超聲波清洗20~40S,再用高純水清洗2~3min即完成清洗,清洗完成后用60~80℃熱風(fēng)烘干即得成品。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,銅絲成品進(jìn)行保存前在表面噴涂石墨烯液體,待干燥后再涂上防腐油再靜置20~30min。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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