[發(fā)明專利]用于顯示裝置外圍線路區(qū)匹配缺陷點與線路編號的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910070897.8 | 申請日： | 2019-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN109870466B | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葉新榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/95 | 分類號： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 顯示裝置 外圍 線路 匹配 缺陷 編號 方法 | ||
1.一種用于顯示裝置外圍線路區(qū)匹配一缺陷點與一線路編號的方法，其特征在于，所述方法包含：
根據(jù)一物件上的一線路配置，形成多個檢測區(qū)塊，包括：
定義所述多個檢測區(qū)塊中的至少一個為一關(guān)鍵區(qū)塊，所述關(guān)鍵區(qū)塊呈三角形，所述關(guān)鍵區(qū)塊還包括一底邊、一第一腰邊、一第二腰邊及N個編號線路，所述N個編號線路平行于所述第一腰邊，所述N個編號線路分別地與所述底邊及所述第二腰邊交會；及
定義所述關(guān)鍵區(qū)塊的一第一頂點、一第二頂點及一第三頂點各自的一坐標(biāo)位置；
通過自動光學(xué)檢測(AOI)檢測所述物件，并且輸出一檢測結(jié)果，其中所檢測結(jié)果包含所述缺陷點的一坐標(biāo)位置；
確定所述缺陷點所對應(yīng)的所述檢測區(qū)塊，包括：
利用向量面積法獲得所述關(guān)鍵區(qū)塊的面積；
利用向量面積法獲得所述缺陷點、所述第一頂點及所述第二頂點所構(gòu)成的一第一面積；
利用向量面積法獲得所述缺陷點、所述第二頂點及所述第三頂點所構(gòu)成的一第二面積；
利用向量面積法獲得所述缺陷點、所述第三頂點及所述第一頂點所構(gòu)成的一第三面積；
當(dāng)所述第一面積、所述第二面積及所述第三面積等于所述關(guān)鍵區(qū)塊的面積時，確定所述缺陷點位于所述關(guān)鍵區(qū)塊內(nèi)；及
當(dāng)所述第一面積、所述第二面積及所述第三面積大于所述關(guān)鍵區(qū)塊的面積時，確定所述缺陷點位于所述關(guān)鍵區(qū)塊外；及
通過一平行線法計算所述缺陷點所對應(yīng)的所述線路編號，包括：
當(dāng)所述缺陷點位于所述關(guān)鍵區(qū)塊內(nèi)，所述缺陷點所在的一第n線路與所述底邊交會將所述底邊分為一第一區(qū)段及一第二區(qū)段，通過所述第一區(qū)段與所述第二區(qū)段的長度比等于所述第n線路到第0線路與第N線路到第n線路的長度比，進(jìn)而計算出所述第n線路的n值。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述N個編號線路分別地與所述底邊及所述第二腰邊交會，并且通過所述平行線法計算所述缺陷點所對應(yīng)的所述線路編號包括：
當(dāng)所述缺陷點位于所述關(guān)鍵區(qū)塊內(nèi)，所述缺陷點所在的一第n線路與所述第二腰邊交會將所述第二腰邊分為一第三區(qū)段及一第四區(qū)段，通過所述第三區(qū)段與所述第四區(qū)段的長度比等于所述第n線路到第0線路與第N線路到第n線路的長度比，進(jìn)而計算出所述第n線路的n值。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：根據(jù)所述線路配置來定義所述第一頂點、所述第二頂點及所述第三頂點各自的所述坐標(biāo)位置。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述坐標(biāo)位置包括一X軸位置及一Y軸位置。
5.一種用于顯示裝置外圍線路區(qū)匹配一缺陷點與一線路編號的方法，其特征在于，所述方法包含：
根據(jù)一物件上的一線路配置，形成呈三角形的一關(guān)鍵區(qū)塊，所述關(guān)鍵區(qū)塊還包括一底邊、一第一腰邊、一第二腰邊；
定義所述關(guān)鍵區(qū)塊的一第一頂點、一第二頂點及一第三頂點各自的一坐標(biāo)位置；
通過自動光學(xué)檢測(AOI)檢測所述物件的N個編號線路，并且輸出一檢測結(jié)果，其中所檢測結(jié)果包含所述缺陷點的一坐標(biāo)位置，所述N個編號線路平行于所述第一腰邊，所述N個編號線路分別地與所述底邊及所述第二腰邊交會；
確定所述缺陷點是否位于所述關(guān)鍵區(qū)塊內(nèi)，包括：
利用向量面積法獲得所述關(guān)鍵區(qū)塊的面積；
利用向量面積法獲得所述缺陷點、所述第一頂點及所述第二頂點所構(gòu)成的一第一面積；
利用向量面積法獲得所述缺陷點、所述第二頂點及所述第三頂點所構(gòu)成的一第二面積；
利用向量面積法獲得所述缺陷點、所述第三頂點及所述第一頂點所構(gòu)成的一第三面積；
當(dāng)所述第一面積、所述第二面積及所述第三面積等于所述關(guān)鍵區(qū)塊的面積時，確定所述缺陷點位于所述關(guān)鍵區(qū)塊內(nèi)；及
當(dāng)所述第一面積、所述第二面積及所述第三面積大于所述關(guān)鍵區(qū)塊的面積時，確定所述缺陷點位于所述關(guān)鍵區(qū)塊外；及
當(dāng)所述缺陷點位于所述關(guān)鍵區(qū)塊內(nèi)時，通過平行線法計算所述缺陷點所對應(yīng)的一第n線路的n值，包括：
所述缺陷點所在的所述第n線路與所述底邊交會將所述底邊分為一第一區(qū)段及一第二區(qū)段，通過所述第一區(qū)段與所述第二區(qū)段的長度比等于所述第n線路到第0線路與第N線路到第n線路的長度比，進(jìn)而計算出所述第n線路的n值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，未經(jīng)深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910070897.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段，即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā)，因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng)，測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
