[發(fā)明專(zhuān)利]GaN基發(fā)光二極管外延片的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910069065.4
• 申請(qǐng)日: 2019-01-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109904066B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹陽(yáng);喬楠;王群;郭炳磊;呂蒙普;胡加輝;李鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/205
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/205;H01L21/67;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種GaN基發(fā)光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上順次沉積緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、缺陷阻擋層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層、以及P型接觸層，所述P型GaN層包括第一GaN子層和第二GaN子層，所述第一GaN子層位于所述電子阻擋層與所述第二GaN子層之間，在沉積所述第一GaN子層時(shí)，采用N₂和H₂的混合氣體作為載氣，在沉積所述第二GaN子層時(shí)，采用N₂作為載氣；

所述第一GaN子層的生長(zhǎng)溫度為900～1000℃，所述第二GaN子層的生長(zhǎng)溫度為930～1050℃；

所述混合氣體中，N₂和H₂的流量比為1：10～1：2，所述混合氣體中，N₂的流量大于或等于20L/min，H₂的流量小于或等于100L/min，在沉積所述第二GaN子層時(shí)，N₂的流量為20～100L/min，所述第一GaN子層和所述第二GaN子層的生長(zhǎng)壓力均為100～300Torr，所述第一GaN子層的厚度為10～50nm，所述第二GaN子層的厚度為50～100nm，所述第一GaN子層和所述第二GaN子層中均摻雜Mg，所述第一GaN子層中Mg摻雜濃度為10¹⁸～10¹⁹cm^-3，所述第二GaN子層中Mg摻雜濃度高于所述第一GaN子層中Mg摻雜濃度；所述電子阻擋層為Al_xGa_1-xN層，0.1x0.5，所述電子阻擋層中摻雜Mg、且Mg摻雜濃度為2×10¹⁷～2×10¹⁸cm^-3；

所述多量子阱層為5到15個(gè)周期的In_aGa_1-aN(0a0.5)量子阱和GaN量子壘交替生長(zhǎng)的超晶格結(jié)構(gòu)。