[發明專利]一種陶瓷厚膜直發加熱器及其制備工藝有效
| 申請號: | 201910065771.1 | 申請日: | 2019-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN109688645B | 公開(公告)日: | 2021-08-10 |
| 發明(設計)人: | 黃耀 | 申請(專利權)人: | 廣西桂儀科技有限公司 |
| 主分類號: | H05B3/20 | 分類號: | H05B3/20;H05B3/02;A45D6/00;A45D2/36 |
| 代理公司: | 南寧智卓專利代理事務所(普通合伙) 45129 | 代理人: | 鄧世江 |
| 地址: | 530000 廣西壯族自治*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陶瓷 直發 加熱器 及其 制備 工藝 | ||
1.一種陶瓷厚膜直發加熱器,其特征在于:所述直發加熱器包括基板層(1)、絕緣厚膜導熱層(2)、電阻層(3)、導電層(4)和保護膜層(6),所述絕緣厚膜導熱層(2)、電阻層(3)和導電層(4)從下至少上依次印制在所述基板層(1)外表面上,在所述絕緣厚膜導熱層(2)的中心印制有NTC熱敏電阻器膜層(5),該NTC熱敏電阻器膜層(5)在25℃常溫下的電阻誤差率為175kΩ±3%,在絕緣厚膜導熱層(2)的一端表面設置有第一電極(30)和第二電極(31),在絕緣厚膜導熱層(2)的另一端表面設置有第三電極(50),所述電阻層(3)呈鏡像對稱印制在(NTC)熱敏電阻器膜層(5)兩側的絕緣厚膜導熱層(2)上,所述電阻層(3)的厚度小于絕緣厚膜導熱層(2)的厚度,該NTC熱敏電阻器膜層(5)通過導電走線(40)與所述第三電極(50)電氣連接,所述電阻層(3)呈多段矩形結構,每段電阻層(3)通過導電層(4)相互串聯且均勻分布在絕緣厚膜導熱層(2)上,所述電阻層(3)的首端、末端分別與所述第一電極(30)和第二電極(31)連接;所述電阻層(3)由多段均勻分布在絕緣厚膜導熱層(2)表面上的發熱絲串聯而成,每一段發熱絲相互平行排列印制在絕緣厚膜導熱層(2)上,相鄰每段發熱絲的末端和首端之間通過導電層(4)進行過渡連接;相鄰每段發熱絲的末端和首端之間通過呈垂直條形或圓弧形的導電層(4)進行過渡連接。
2.根據權利要求1所述的一種陶瓷厚膜直發加熱器,其特征在于:其特征在于:所述直發加熱器還包括保護膜層(6),該保護膜層(6)分別印制在電阻層(3)、導電層(4)的外表面和絕緣厚膜導熱層(2)的空隙表面,所述第一電極(30)、第二電極(31)和第三電極(50)裸露在絕緣厚膜導熱層(2)的外表面。
3.根據權利要求1所述的一種陶瓷厚膜直發加熱器,其特征在于:在所述絕緣厚膜導熱層(2)的中心設有印制所述NTC熱敏電阻器膜層(5)的印制區域(51),所述NTC熱敏電阻器膜層(5)的兩側貼敷在電阻層(3)上,所述NTC熱敏電阻器膜層(5)通過兩條平行的導電走線(40)分別與兩個第三電極(50)電氣連接。
4.根據權利要求3所述的一種陶瓷厚膜直發加熱器,其特征在于:所述兩個第三電極(50)靠近絕緣厚膜導熱層(2)寬邊的邊緣,兩個第三電極(50)之間的距離為5mm~10mm。
5.根據權利要求2所述的一種陶瓷厚膜直發加熱器,其特征在于:所述保護膜層(6)為二氧化鈦薄膜、聚酰亞胺薄膜、有機硅化合物薄膜或硼硅玻璃薄膜。
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