[發明專利]晶圓再驗的方法

有效

• 申請號: 201910065761.8
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN110160918B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 黃彥凱
• 申請（專利權）人: 黃彥凱
• 主分類號: G01N15/00
• 分類號: G01N15/00
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 滿靖

本發明關于一種晶圓再驗的方法，其包括以下步驟：提供一晶圓，其設有復數晶粒；提供復數探針組，各探針組包括復數探針，探針用以檢測晶粒；令復數探針組以一第一閥值為基準分別對復數晶粒進行檢測，以將復數晶粒區分成復數第一晶粒及復數再驗晶粒，各第一晶粒所測得的數據高于第一閥值，各再驗晶粒所測得的數據低于第一閥值；進行一智慧篩選作業，以一第二閥值為基準而將晶圓中的復數再驗晶粒區分成復數第二晶粒及復數第三晶粒，其中，各第二晶粒所測得的數據高于第二閥值，各第三晶粒所測得的數據低于第二閥值。基于上述步驟可以將可合格的晶粒盡可能地篩選出來，進而增加晶粒可使用的數量，進而提升產能、減少浪費、增加獲利。

技術領域

本發明涉及半導體工藝技術領域，具體涉及一種晶圓再驗的方法。

背景技術

近年來半導體的技術日新月異，產業需求也越來越大，舉例但不限于：手機、電腦、電視、智能家電，因此，晶圓(wafer)的尺寸也從六寸、八寸、十二寸逐漸地擴大，以增加產能來供給需求。由于晶圓制造所需的設備及運作金費龐大，并非所有的公司都可以進行，故后來出現晶圓代工廠的生產型態，舉例如臺灣地區 的臺積電即為晶圓代工典型的代表。

可以理解的是，晶圓制造成本昂貴，除了通過增加生產面積來提升產能外，要如何進一步提升合格品以減少浪費、提高獲利更是此業界極力研究的目標。

以現今的檢測方式，在晶圓檢測時，在經過第一次檢測而生成晶圓圖像后，探針組會再沿原本路徑再重新量測一次，以減少將可以使用的晶粒誤判成不合格的情況。然而，此方式的測量條件都相同，其再次測量后的結果與第一次量測的差異并不大，故仍然會導致許多可以使用的晶粒被誤判成不合格，造成成本的浪費。

因此，有必要提供一種新穎且具有進步性的晶圓再驗的方法，以解決上述的問題。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種晶圓再驗的方法，能針對欲再驗晶粒做更可靠判斷，以將可合格的晶粒盡可能地篩選出來，進而增加晶粒可使用的數量，進而提升產能、減少浪費、增加獲利。

為達成上述目的，本發明提供一種晶圓再驗的方法，其包括以下步驟：提供一晶圓，其設有復數晶粒；提供復數探針組，各所述探針組包括復數探針，所述探針用以檢測所述晶粒；令所述復數探針組以一第一閥值為基準分別對所述復數晶粒進行檢測，以將所述復數晶粒區分成復數第一晶粒及復數再驗晶粒，各所述第一晶粒所測得的數據高于所述第一閥值，各所述再驗晶粒所測得的數據低于所述第一閥值；進行一智慧篩選作業以將所述晶圓中的所述復數再驗晶粒區分成復數第二晶粒及復數第三晶粒，其中，各所述第二晶粒所測得的數據高于一第二閥值，各所述第三晶粒所測得的數據低于所述第二閥值，所述智慧篩選作業包括：從所述復數探針中挑選出一最佳探針，所述最佳探針定義為所述復數探針中判別所述第一晶粒的合格率最高者，令所述最佳探針以所述第二閥值為基準而逐一篩選所述晶圓中的所述復數再驗晶粒；或從所述復數探針組中挑選出一標準探針組，所述標準探針組具有最佳的第一整體平均值，所述第一整體平均值定義為各所述探針組中的所述復數探針分別檢測過復數所述晶粒后所得所述第一晶粒的合格率的加總平均，接著，將所述晶圓依序地切分成復數連續的第一區塊，各所述第一區塊的晶粒最大數量等同于所述標準探針組的探針數量，令所述標準探針組以所述第二閥值篩選各所述第一區塊中的至少一所述再驗晶粒；或從所述復數探針組中挑選出所述標準探針組，接著，所述標準探針組以每次對應所述復數晶粒中能囊括最大數量的再驗晶粒為準則將所述晶圓依序切分成復數第二區塊，各所述第二區塊的晶粒最大數量等同于所述標準探針組的探針數量，令所述標準探針組以所述第二閥值篩選各所述第二區塊中的至少一所述再驗晶粒。

具有以下有益效果：

本發明提供的晶圓再驗的方法能夠針對欲再驗晶粒做更可靠判斷，以將可合格的晶粒盡可能地篩選出來，進而增加晶粒可使用的數量，進而提升產能、減少浪費、增加獲利。

附圖說明

圖1為本發明一實施例的立體圖。

圖2為本發明一實施例的檢測路徑示意圖。