[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片的固接方法及固接裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910065532.6
• 申請(qǐng)日: 2019-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111129272B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖建碩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣愛(ài)司帝科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 梁麗超;劉丹

本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光二極管芯片的固接方法及固接裝置。發(fā)光二極管芯片的固接方法包括：提供一電路基板，電路基板包括多個(gè)導(dǎo)電焊點(diǎn)；通過(guò)一芯片取放模塊，以將多個(gè)導(dǎo)電體分別設(shè)置在些導(dǎo)電焊點(diǎn)上；將多個(gè)發(fā)光二極管芯片設(shè)置在電路基板，每一發(fā)光二極管芯片設(shè)置在至少兩個(gè)導(dǎo)電體上；將一雷射光源產(chǎn)生模塊所產(chǎn)生的一雷射光源投向每一發(fā)光二極管芯片，以使得雷射光源穿過(guò)發(fā)光二極管芯片且投射在至少兩個(gè)導(dǎo)電體上；設(shè)置在發(fā)光二極管芯片與電路基板之間的導(dǎo)電體通過(guò)雷射光源的照射而固化，以使得發(fā)光二極管芯片被固接在電路基板上。借此，導(dǎo)電體能夠受到穿過(guò)發(fā)光二極管芯片的雷射光源的照射而固化，而使得發(fā)光二極管芯片被固接在電路基板上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種芯片的固接方法及固接裝置，特別是涉及一種發(fā)光二極管芯片的固接方法及固接裝置。

背景技術(shù)

目前，發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode，LED)因具備光質(zhì)佳以及發(fā)光效率高等特性而得到廣泛的應(yīng)用。一般來(lái)說(shuō)，為了使采用發(fā)光二極管做為發(fā)光組件的顯示設(shè)備具有較佳的色彩表現(xiàn)能力，現(xiàn)有技術(shù)是利用紅、綠、藍(lán)三種顏色的發(fā)光二極管芯片的相互搭配而組成一全彩發(fā)光二極管顯示設(shè)備，此全彩發(fā)光二極管顯示設(shè)備可通過(guò)紅、綠、藍(lán)三種顏色的發(fā)光二極管芯片分別發(fā)出的紅、綠、藍(lán)三種的顏色光，然后再通過(guò)混光后形成一全彩色光，以進(jìn)行相關(guān)信息的顯示。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，將發(fā)光二極管芯片固定在電路基板上的制程中，需要先將承載發(fā)光二極管芯片的基板先行移除。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種發(fā)光二極管芯片的固接方法及固接裝置。

為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是，提供一種發(fā)光二極管芯片的固接方法，其包括：首先，提供一電路基板，該電路基板包括多個(gè)導(dǎo)電焊點(diǎn)；接著，將多個(gè)導(dǎo)電體分別設(shè)置在該些導(dǎo)電焊點(diǎn)上；然后，將多個(gè)發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該電路基板，每一該發(fā)光二極管芯片設(shè)置在至少兩個(gè)該導(dǎo)電體上；接下來(lái)，將一雷射光源產(chǎn)生模塊所產(chǎn)生的一雷射光源投向每一該發(fā)光二極管芯片，以使得該雷射光源穿過(guò)該發(fā)光二極管芯片且投射在至少兩個(gè)該導(dǎo)電體上；最后，設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片與該電路基板之間的該導(dǎo)電體通過(guò)該雷射光源的照射而固化，以使得該發(fā)光二極管芯片被固接在該電路基板上。

更進(jìn)一步地，每一該發(fā)光二極管芯片包括呈堆棧狀設(shè)置的一n型導(dǎo)電層、一被該雷射光源穿過(guò)的發(fā)光層以及一p型導(dǎo)電層，該n型導(dǎo)電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發(fā)光層為多量子阱結(jié)構(gòu)層，該p型導(dǎo)電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。

更進(jìn)一步地，每一該發(fā)光二極管芯片包括呈堆棧狀設(shè)置的一基層、一n型導(dǎo)電層、一被該雷射光源穿過(guò)的發(fā)光層以及一p型導(dǎo)電層，該基層為藍(lán)寶石基層，該n型導(dǎo)電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發(fā)光層為多量子阱結(jié)構(gòu)層，該p型導(dǎo)電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。

更進(jìn)一步地，在提供該電路基板的步驟后，還進(jìn)一步包括：將多個(gè)該導(dǎo)電體分別設(shè)置在該些導(dǎo)電焊點(diǎn)上，或?qū)⒅辽賰蓚€(gè)該導(dǎo)電體設(shè)置在每一該發(fā)光二極管芯片；其中，該雷射光源的照射面積只涵蓋一個(gè)該導(dǎo)電體或者一個(gè)該發(fā)光二極管芯片；其中，該雷射光源不會(huì)穿過(guò)該電路基板，而只穿過(guò)該發(fā)光二極管芯片；其中，當(dāng)每一該發(fā)光二極管芯片通過(guò)該芯片取放模塊以設(shè)置在該電路基板上的同時(shí)，該雷射光源產(chǎn)生模塊所產(chǎn)生的該雷射光源經(jīng)過(guò)該芯片取放模塊的一氣體導(dǎo)引信道而投向該發(fā)光二極管芯片。