[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片的固接方法及固接裝置

有效

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• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN111129272B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設計）人: 廖建碩
• 申請（專利權）人: 臺灣愛司帝科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁麗超;劉丹

1.一種發(fā)光二極管芯片的固接方法，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的固接方法包括：

提供一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點；

通過一芯片取放模塊，以將多個發(fā)光二極管芯片設置在該電路基板，每一該發(fā)光二極管芯片設置在至少兩個導電體上；

將一雷射光源產生模塊所產生的一雷射光源投向每一該發(fā)光二極管芯片，以使得該雷射光源穿過該發(fā)光二極管芯片且投射在至少兩個該導電體上；以及

設置在該發(fā)光二極管芯片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發(fā)光二極管芯片被固接在該電路基板上；

其中，當每一該發(fā)光二極管芯片通過該芯片取放模塊以設置在該電路基板上的同時，該雷射光源產生模塊所產生的該雷射光源經過該芯片取放模塊的一氣體導引信道而投向該發(fā)光二極管芯片。

2.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的固接方法，其特征在于，每一該發(fā)光二極管芯片包括呈堆棧狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發(fā)光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發(fā)光層為多量子阱結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。

3.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的固接方法，其特征在于，每一該發(fā)光二極管芯片包括呈堆棧狀設置的一基層、一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發(fā)光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發(fā)光層為多量子阱結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。

4.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的固接方法，其特征在于，在提供該電路基板的步驟后，還進一步包括：將多個該導電體分別設置在該些導電焊點上，或將至少兩個該導電體設置在每一該發(fā)光二極管芯片；其中，該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發(fā)光二極管芯片；其中，該雷射光源不會穿過該電路基板，而只穿過該發(fā)光二極管芯片。

5.一種發(fā)光二極管芯片的固接裝置，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的固接裝置包括：

一承載模塊，其用于承載包括有多個導電焊點以及分別設置在該些導電焊點上的多個導電體的一電路基板；

一芯片取放模塊，其用于將多個發(fā)光二極管芯片設置在該電路基板，且用于將每一該發(fā)光二極管芯片設置在至少兩個該導電體上；以及

一雷射光源產生模塊，其用于產生投向該發(fā)光二極管芯片、穿過該發(fā)光二極管芯片且投射在至少兩個導電體上的一雷射光源；

其中，該承載模塊、該芯片取放模塊以及該雷射光源產生模塊彼此鄰近；

其中，該芯片取放模塊具有用于讓該雷射光源產生模塊所產生的該雷射光源經過的一氣體導引信道；

其中，當設置在該發(fā)光二極管芯片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，該發(fā)光二極管芯片被固接在該電路基板上。

6.根據權利要求5所述的發(fā)光二極管芯片的固接裝置，其特征在于，用于被該芯片取放模塊以設置在該電路基板的每一該發(fā)光二極管芯片包括呈堆棧狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發(fā)光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發(fā)光層為多量子阱結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。

7.根據權利要求5所述的發(fā)光二極管芯片的固接裝置，其特征在于，用于被該芯片取放模塊以設置在該電路基板的每一該發(fā)光二極管芯片包括呈堆棧狀設置的一基層、一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發(fā)光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發(fā)光層為多量子阱結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。