[發明專利]磁存儲裝置在審
| 申請號： | 201910064055.1 | 申請日： | 2019-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN110890396A | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 吉川將壽 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/22 | 分類號： | H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 裝置 | ||
1.一種磁存儲裝置，具備：
具有可變的磁化方向的第1磁性層；
具有固定的磁化方向的第2磁性層；以及
設置于所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層，
所述第1磁性層包含多晶態的第1子磁性層和非晶態的第2子磁性層。
2.根據權利要求1所述的磁存儲裝置，
所述第1子磁性層設置于所述非磁性層與所述第2子磁性層之間。
3.根據權利要求1所述的磁存儲裝置，
所述第2子磁性層比所述第1子磁性層薄。
4.根據權利要求1所述的磁存儲裝置，
所述第1磁性層至少含有鐵即Fe以及硼即B。
5.一種磁存儲裝置，具備：
具有可變的磁化方向的第1磁性層；
具有固定的磁化方向的第2磁性層；以及
設置于所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層，
所述第1磁性層包含多晶態的第1子磁性層和單晶態的第2子磁性層。
6.根據權利要求5所述的磁存儲裝置，
所述第1子磁性層設置于所述非磁性層與所述第2子磁性層之間。
7.根據權利要求5所述的磁存儲裝置，
所述第2子磁性層比所述第1子磁性層薄。
8.根據權利要求5所述的磁存儲裝置，
所述第1磁性層至少含有鐵即Fe以及硼即B。
9.一種磁存儲裝置，具備：
具有可變的磁化方向的第1磁性層；
具有固定的磁化方向的第2磁性層；以及
設置于所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層，
所述第1磁性層包含多晶態的第1子磁性層和多晶態的第2子磁性層，
所述第2子磁性層所包含的多晶的平均粒徑比所述第1子磁性層所包含的多晶的平均粒徑小。
10.根據權利要求9所述的磁存儲裝置，
所述第1子磁性層設置于所述非磁性層與所述第2子磁性層之間。
11.根據權利要求9所述的磁存儲裝置，
所述第2子磁性層比所述第1子磁性層薄。
12.根據權利要求9所述的磁存儲裝置，
所述第1磁性層至少含有鐵即Fe以及硼即B。
13.一種磁存儲裝置，具備：
具有可變的磁化方向的第1磁性層；
具有固定的磁化方向的第2磁性層；以及
設置于所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層，
所述第1磁性層包含晶態的第1子磁性層和晶態的第2子磁性層，
所述第2子磁性層具有比所述第1子磁性層低的晶體取向性。
14.根據權利要求13所述的磁存儲裝置，
所述第1子磁性層設置于所述非磁性層與所述第2子磁性層之間。
15.根據權利要求13所述的磁存儲裝置，
所述第2子磁性層比所述第1子磁性層薄。
16.根據權利要求13所述的磁存儲裝置，
所述第1磁性層至少含有鐵即Fe以及硼即B。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
