[發(fā)明專利]石墨盤檢測方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910060012.6
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN109870416B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬楠;李昱樺;劉旺平;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: G01N21/25
• 分類號: G01N21/25;G01N21/95;G01N29/04;C23C16/44;B07C5/38;B07C5/36;B07C5/34
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發(fā)明公開了一種石墨盤檢測方法和裝置，屬于外延技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：拍攝石墨盤的表面，得到所述石墨盤的表面圖像；根據(jù)所述石墨盤的表面圖像判斷所述石墨盤的表面是否存在破損；當所述石墨盤的表面不存在破損時，根據(jù)所述石墨盤的表面圖像判斷所述石墨盤的表面是否存在色差；當所述石墨盤的表面不存在色差時，對所述石墨盤進行超聲波掃描，得到所述石墨盤的反射率；根據(jù)所述石墨盤的反射率對所述石墨盤進行分類，同一外延生長設(shè)備采用同一類所述石墨盤進行外延生長。通過上述石墨盤檢測過程，能夠提高后續(xù)外延生長質(zhì)量，提高發(fā)光二極管的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及外延技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種石墨盤檢測方法和裝置。

背景技術(shù)

石墨盤是金屬有機化合物化學氣相沉淀(Metal-organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)設(shè)備中非常重要的配件，石墨盤由高純石墨制成，并在表面鍍有SiC涂層。

由于石墨盤單價較高，所以在LED外延片的正常量產(chǎn)過程中，石墨盤一般會循環(huán)使用。石墨盤作為襯底的載盤在單次使用完畢后，需要在烘烤(Bake)爐進行高溫Bake，同時需通入N₂/H₂混合氣，對石墨盤表面的GaN進行處理，保證石墨盤的表面SiC層沒有GaN的殘留，有利于外延片的正常生產(chǎn)。

但是在石墨盤經(jīng)過高溫Bake處理后，有可能出現(xiàn)石墨盤的表面依舊殘留GaN的現(xiàn)象存在，也有可能隨著使用的周期數(shù)增加石墨盤出現(xiàn)破孔，導致在這些問題石墨盤上生長出的大量的外延片性能異常。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供了一種石墨盤檢測方法和裝置，實現(xiàn)對石墨盤的檢測，提高了外延片的良率。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實施例提供了一種石墨盤檢測方法，所述方法包括：拍攝石墨盤的表面，得到所述石墨盤的表面圖像；根據(jù)所述石墨盤的表面圖像判斷所述石墨盤的表面是否存在破損；當所述石墨盤的表面不存在破損時，根據(jù)所述石墨盤的表面圖像判斷所述石墨盤的表面是否存在色差；當所述石墨盤的表面不存在色差時，對所述石墨盤進行超聲波掃描，得到所述石墨盤的反射率；根據(jù)所述石墨盤的反射率對所述石墨盤進行分類，同一外延生長設(shè)備采用同一類所述石墨盤進行外延生長。

在本發(fā)明的一種實現(xiàn)方式中，所述拍攝石墨盤的表面，得到所述石墨盤的表面圖像，包括：將所述石墨盤的表面分為多個區(qū)域；依次拍攝所述石墨盤的表面的多個區(qū)域，得到多張所述石墨盤的表面圖像。

在本發(fā)明的一種實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)所述石墨盤的表面圖像判斷所述石墨盤的表面是否存在破損，包括：顯示所述石墨盤的表面圖像；接收人工操作指令，所述人工操作指令用于指示所述石墨盤的表面是否存在破損；或者，所述根據(jù)所述石墨盤的表面圖像判斷所述石墨盤的表面是否存在破損，包括：將所述石墨盤的表面圖像輸入預定的分類器，根據(jù)所述分類器的結(jié)果確定所述石墨盤的表面是否存在破損。

在本發(fā)明的一種實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)所述石墨盤的表面圖像判斷所述石墨盤的表面是否存在色差，包括：將所述石墨盤的表面圖像分為多個區(qū)域；計算每個區(qū)域的平均灰階值；計算任意兩個相鄰區(qū)域的平均灰階值的差值；當存在任意兩個相鄰區(qū)域的平均灰階值的差值大于閾值時，確定所述石墨盤的表面存在色差。

在本發(fā)明的一種實現(xiàn)方式中，所述對所述石墨盤進行超聲波掃描，得到所述石墨盤的反射率，包括：發(fā)射超聲波；接收經(jīng)過所述石墨盤反射回的超聲波；根據(jù)發(fā)射的超聲波的強度和反射回的超聲波的強度，確定所述石墨盤的反射率。