[發(fā)明專利]晶片的標(biāo)記方法、晶圓及晶片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910058383.0
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN111415881A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 車行遠(yuǎn);呂景元;呂美蓉
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王珊珊

一種晶片的標(biāo)記方法，包括以下步驟。提供晶圓，其中晶圓包括多個(gè)晶片。在晶圓上劃分出多個(gè)曝光區(qū)，其中每個(gè)曝光區(qū)對應(yīng)到多個(gè)晶片中的至少一個(gè)。利用第一掩膜形成每個(gè)晶片中的第一坐標(biāo)軸上的多個(gè)第一符號與第二坐標(biāo)軸上的多個(gè)第二符號。利用第二掩膜與重迭偏移的曝光方式形成每個(gè)曝光區(qū)的每個(gè)晶片中的代表曝光區(qū)坐標(biāo)的坐標(biāo)符號，其中不同曝光區(qū)中的不同坐標(biāo)符號在由第一坐標(biāo)軸與第二坐標(biāo)軸所形成的坐標(biāo)系中具有不同坐標(biāo)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體制程及結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種晶片的標(biāo)記方法、晶圓及晶片。

背景技術(shù)

在未對晶圓進(jìn)行切割前的晶片測試階段，可以清楚知道每個(gè)晶片在晶圓上的位置信息，因此很容易掌握到制造過程中的相關(guān)信息。然而，若是在進(jìn)行晶片切割封裝后的最終測試發(fā)生問題，就很難掌握相關(guān)信息。

現(xiàn)在的封裝測試廠雖然可以在封裝上打上編號，但因?yàn)槊總€(gè)晶片都有一筆資料，所產(chǎn)生的龐大資料常常造成追查的不便。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種。本發(fā)明提供一種晶片的標(biāo)記方法、晶圓及晶片，其可輕易地掌握晶片在制造過程中的相關(guān)信息。

本發(fā)明提出一種晶片的標(biāo)記方法，包括以下步驟。提供晶圓，其中晶圓包括多個(gè)晶片。在晶圓上劃分出多個(gè)曝光區(qū)(shot area)，其中每個(gè)曝光區(qū)對應(yīng)到多個(gè)晶片中的至少一個(gè)。利用第一掩膜形成每個(gè)晶片中的第一坐標(biāo)軸上的多個(gè)第一符號與第二坐標(biāo)軸上的多個(gè)第二符號。利用第二掩膜與重迭偏移(overlay shift)的曝光方式形成每個(gè)曝光區(qū)的每個(gè)晶片中的代表曝光區(qū)坐標(biāo)的坐標(biāo)符號，其中不同曝光區(qū)中的不同坐標(biāo)符號在由第一坐標(biāo)軸與第二坐標(biāo)軸所形成的坐標(biāo)系中具有不同坐標(biāo)。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，第一符號、第二符號與坐標(biāo)符號可位在晶片中的同一層中。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，第一符號與第二符號可位在晶片中的同一層中，且第一符號與坐標(biāo)符號可位在晶片中的不同層中。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，以上視方式觀察，坐標(biāo)符號可位在坐標(biāo)系中。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，可先形成第一符號與第二符號，再形成坐標(biāo)符號。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，可先形成坐標(biāo)符號，再形成第一符號與第二符號。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，第一符號與第二符號的形成方法可包括使用第一掩膜對膜層進(jìn)行圖案化制程。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，坐標(biāo)符號的形成方法可包括使用第二掩膜對膜層進(jìn)行圖案化制程。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，第一掩膜可包括用于形成第一符號的圖案與用于形成第二符號的圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，第一掩膜更可包括用于形成晶片編號的圖案與用于形成元件的圖案中的至少一者。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，第二掩膜可包括用于形成坐標(biāo)符號的圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，可通過用于形成坐標(biāo)符號的膜層來形成元件，且用于形成坐標(biāo)符號與元件的微影制程可包括以下步驟。在膜層上形成光阻層。分別使用用于形成坐標(biāo)符號的第二掩膜與用于形成元件的掩膜對光阻層進(jìn)行曝光制程。對進(jìn)行曝光制程后的光阻層進(jìn)行顯影制程。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，第一符號與第二符號可包括遞增的多個(gè)數(shù)字。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述晶片的標(biāo)記方法中，坐標(biāo)符號的數(shù)量可為一個(gè)。