[發(fā)明專利]晶片的標(biāo)記方法、晶圓及晶片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910058383.0
• 申請(qǐng)日: 2019-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111415881A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 車(chē)行遠(yuǎn);呂景元;呂美蓉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種晶片的標(biāo)記方法，包括：

提供晶圓，其中所述晶圓包括多個(gè)晶片；

在晶圓上劃分出多個(gè)曝光區(qū)，其中每個(gè)曝光區(qū)對(duì)應(yīng)到所述多個(gè)晶片中的至少一個(gè)；

利用第一掩膜形成每個(gè)晶片中的第一坐標(biāo)軸上的多個(gè)第一符號(hào)與第二坐標(biāo)軸上的多個(gè)第二符號(hào)；以及

利用第二掩膜與重迭偏移的曝光方式形成每個(gè)曝光區(qū)的每個(gè)晶片中的代表曝光區(qū)坐標(biāo)的坐標(biāo)符號(hào)，其中不同曝光區(qū)中的不同坐標(biāo)符號(hào)在由所述第一坐標(biāo)軸與所述第二坐標(biāo)軸所形成的坐標(biāo)系中具有不同坐標(biāo)。

2.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述多個(gè)第一符號(hào)、所述多個(gè)第二符號(hào)與所述坐標(biāo)符號(hào)位在每個(gè)晶片中的同一層中。

3.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述多個(gè)第一符號(hào)與所述多個(gè)第二符號(hào)位在每個(gè)晶片中的同一層中，且所述多個(gè)第一符號(hào)與所述坐標(biāo)符號(hào)位在每個(gè)晶片中的不同層中。

4.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中以上視方式觀察，所述坐標(biāo)符號(hào)位在所述坐標(biāo)系中。

5.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中先形成所述多個(gè)第一符號(hào)與所述多個(gè)第二符號(hào)，再形成所述坐標(biāo)符號(hào)。

6.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中先形成所述坐標(biāo)符號(hào)，再形成所述多個(gè)第一符號(hào)與所述多個(gè)第二符號(hào)。

7.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述多個(gè)第一符號(hào)與所述多個(gè)第二符號(hào)的形成方法包括使用所述第一掩膜對(duì)膜層進(jìn)行圖案化制程。

8.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述坐標(biāo)符號(hào)的形成方法包括使用所述第二掩膜對(duì)膜層進(jìn)行圖案化制程。

9.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述第一掩膜包括用于形成所述多個(gè)第一符號(hào)的圖案與用于形成所述多個(gè)第二符號(hào)的圖案。

10.如權(quán)利要求9所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述第一掩膜更包括用于形成晶片編號(hào)的圖案與用于形成元件的圖案中的至少一者。

11.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述第二掩膜包括用于形成所述坐標(biāo)符號(hào)的圖案。

12.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中通過(guò)用于形成所述坐標(biāo)符號(hào)的膜層來(lái)形成元件，且用于形成所述坐標(biāo)符號(hào)與所述元件的微影制程包括：

在所述膜層上形成光阻層；

分別使用用于形成所述坐標(biāo)符號(hào)的所述第二掩膜與用于形成所述元件的掩膜對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光制程；以及

對(duì)進(jìn)行所述曝光制程后的所述光阻層進(jìn)行顯影制程。

13.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述多個(gè)第一符號(hào)與所述多個(gè)第二符號(hào)包括遞增的多個(gè)數(shù)字。

14.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述坐標(biāo)符號(hào)的數(shù)量為一個(gè)。

15.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述坐標(biāo)符號(hào)的數(shù)量為多個(gè)。

16.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述坐標(biāo)符號(hào)的形狀包括L形、點(diǎn)狀、多邊形或其組合。

17.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述多個(gè)第一符號(hào)、所述多個(gè)第二符號(hào)與所述坐標(biāo)符號(hào)位在每個(gè)晶片的空曠區(qū)中。

18.如權(quán)利要求1所述的晶片的標(biāo)記方法，其中所述坐標(biāo)系包括直角坐標(biāo)系。