[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910055441.4
• 申請(qǐng)日: 2019-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN109830428A
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蒙元明;閆宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其包括在器件層上生長多晶硅層，在多晶硅層表面上形成氧化物層，氧化物層覆蓋多晶硅層表面上的突起，使用緩沖氧化物刻蝕液對(duì)氧化物層進(jìn)行腐蝕；在腐蝕得到的多晶硅層表面上制備功能層，得到半導(dǎo)體器件；基于此，本發(fā)明在得到多晶硅層后，先在多晶硅層表面上形成一道保護(hù)作用的氧化物層，然后利用緩沖氧化物刻蝕液，基于其可控性，蝕刻保護(hù)氧化膜和多晶硅層表面上的突起，從而起到降低多晶硅層表面突起的作用，同時(shí)也能很好的保護(hù)好多晶硅層表面，緩解了現(xiàn)有多晶硅層存在的表面粗糙的技術(shù)問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法。

背景技術(shù)

隨著技術(shù)發(fā)展，硅材料，尤其是多晶，基于摻雜等特性，在半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的作用越來越大。

現(xiàn)有技術(shù)一般是對(duì)非晶硅進(jìn)行處理之后，得到多晶硅層，此時(shí)多晶硅層的表面存在突起，這些突起導(dǎo)致多晶硅層表面粗糙，其粗糙度一般在10納米至20納米之間，多晶硅的表面粗糙度會(huì)降低擊穿電場(chǎng)與漏電流突增，表面粗糙度增加一倍，漏電流增加兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

即現(xiàn)有多晶硅層存在表面粗糙的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，以緩解現(xiàn)有多晶硅層存在的表面粗糙的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其包括：

在器件層上生長多晶硅層；

在所述多晶硅層表面上形成氧化物層，所述氧化物層覆蓋所述多晶硅層表面上的突起；

使用緩沖氧化物刻蝕液，對(duì)所述氧化物層進(jìn)行腐蝕；

在腐蝕得到的多晶硅層表面上制備功能層，得到半導(dǎo)體器件。

在本發(fā)明的制備方法中，所述在所述多晶硅層表面上形成氧化物層包括：采用化學(xué)氣相沉積法，在所述多晶硅層表面上沉積氧化物，形成所述氧化物層。

在本發(fā)明的制備方法中，所述在所述多晶硅層表面上沉積氧化物包括：在所述多晶硅層表面上沉積氧化硅。

在本發(fā)明的制備方法中，所述在所器件層上生長多晶硅層包括：在器件層形成非晶硅層，采用準(zhǔn)分子激光退火法處理所述非晶硅層，形成所述多晶硅層。

在本發(fā)明的制備方法中，所述在所述多晶硅層表面上形成氧化物層包括：在所述多晶硅層表面上形成20納米厚度的氧化物層。

在本發(fā)明的制備方法中，所述使用緩沖氧化物刻蝕液，對(duì)所述氧化物層進(jìn)行腐蝕包括：配置緩沖氧化物刻蝕液，將形成有所述氧化物層的器件層浸泡在所述緩沖氧化物刻蝕液中預(yù)設(shè)時(shí)長后取出。

在本發(fā)明的制備方法中，所述配置緩沖氧化物刻蝕液包括：配置氫氟酸緩沖刻蝕液。

在本發(fā)明的制備方法中，所述配置氫氟酸緩沖刻蝕液包括：將氫氟酸、氟化銨與水混合得到所述氫氟酸緩沖刻蝕液。

在本發(fā)明的制備方法中，所述將氫氟酸、氟化銨與水混合得到所述氫氟酸緩沖刻蝕液包括：將摩爾比為40％的氫氟酸水溶液、與摩爾比為50％的氟化銨水溶液，按體積比為1：7進(jìn)行混合，到所述氫氟酸緩沖刻蝕液。

在本發(fā)明的制備方法中，所述將形成有所述氧化物層的器件層浸泡在所述緩沖氧化物刻蝕液中預(yù)設(shè)時(shí)長后取出包括：將形成有所述氧化物層的器件層在所述緩沖氧化物刻蝕液中浸泡2秒后取出。