[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910055441.4
• 申請日: 2019-01-21
• 公開（公告）號: CN109830428A
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蒙元明;閆宇
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

在器件層上生長多晶硅層；

在所述多晶硅層表面上形成氧化物層，所述氧化物層覆蓋所述多晶硅層表面上的突起；

使用緩沖氧化物刻蝕液，對所述氧化物層進行腐蝕；

在腐蝕得到的多晶硅層表面上制備功能層，得到半導(dǎo)體器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層表面上形成氧化物層包括：采用化學(xué)氣相沉積法，在所述多晶硅層表面上沉積氧化物，形成所述氧化物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層表面上沉積氧化物包括：在所述多晶硅層表面上沉積氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所器件層上生長多晶硅層包括：在器件層形成非晶硅層，采用準(zhǔn)分子激光退火法處理所述非晶硅層，形成所述多晶硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層表面上形成氧化物層包括：在所述多晶硅層表面上形成20納米厚度的氧化物層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述使用緩沖氧化物刻蝕液，對所述氧化物層進行腐蝕包括：配置緩沖氧化物刻蝕液，將形成有所述氧化物層的器件層浸泡在所述緩沖氧化物刻蝕液中預(yù)設(shè)時長后取出。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述配置緩沖氧化物刻蝕液包括：配置氫氟酸緩沖刻蝕液。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述配置氫氟酸緩沖刻蝕液包括：將氫氟酸、氟化銨與水混合得到所述氫氟酸緩沖刻蝕液。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述將氫氟酸、氟化銨與水混合得到所述氫氟酸緩沖刻蝕液包括：將摩爾比為40％的氫氟酸水溶液、與摩爾比為50％的氟化銨水溶液，按體積比為1：7進行混合，到所述氫氟酸緩沖刻蝕液。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述將形成有所述氧化物層的器件層浸泡在所述緩沖氧化物刻蝕液中預(yù)設(shè)時長后取出包括：將形成有所述氧化物層的器件層在所述緩沖氧化物刻蝕液中浸泡2秒后取出。