[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910052914.5
• 申請(qǐng)日: 2019-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN110931347B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃仲麟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L29/06;H01L21/324
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一半導(dǎo)體基材，具有多個(gè)突出部；

一介電層，設(shè)于該半導(dǎo)體基材之上，該介電層具有多個(gè)設(shè)于所述突出部之上的區(qū)域；以及

一硅化物層，設(shè)于所述突出部的一第一側(cè)壁、所述區(qū)域的一第二側(cè)壁、以及該半導(dǎo)體基材的一上表面之上，該上表面鄰近該第一側(cè)壁；

其中該硅化物層的一下表面低于該半導(dǎo)體基材的一第一表面，

其中所述突出部具有一第一下寬度及一第一上寬度，該第一上寬度小于該第一下寬度，所述區(qū)域具有一第二下寬度及一第二上寬度，該第二上寬度小于該第二下寬度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁的沿一垂直方向的斜率一致。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述突出部及設(shè)于所述突出部之上的所述區(qū)域是配置呈一反漏斗構(gòu)型。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中設(shè)于該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁之上的該硅化物層的厚度與該上表面之上的該硅化物層的厚度實(shí)質(zhì)上相同。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中設(shè)于該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁之上的該硅化物層的厚度實(shí)質(zhì)上大于該上表面之上的該硅化物層的厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中設(shè)于該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁之上的該硅化物層的厚度與該上表面之上的該硅化物層的厚度比例實(shí)質(zhì)上相同或小于10：1。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中設(shè)于該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁之上的該硅化物層的厚度與該上表面之上的該硅化物層的厚度比例實(shí)質(zhì)上相同或大于1：10。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中設(shè)于該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁之上的該硅化物層的厚度從該介電層的一正面朝向該上表面漸縮。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中設(shè)于該上表面之上的該硅化物層的晶相與設(shè)于該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁之上的該硅化物層的晶相實(shí)質(zhì)上相同。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一半導(dǎo)體基材，具有多個(gè)突出部；

設(shè)置一介電層，具有分別位于所述突出部之上的多個(gè)區(qū)域；

設(shè)置一襯墊，于所述突出部的一第一側(cè)壁及所述區(qū)域的一第二側(cè)壁之上；

設(shè)置一金屬層，于該襯墊之上、該介電層的一正面及該半導(dǎo)體基材的一上表面之上；

進(jìn)行一熱處理工藝，至少使該金屬層的一部分與該襯墊及該半導(dǎo)體基材反應(yīng)以形成一硅化物層；以及

進(jìn)行一濕式蝕刻工藝，以去除位于該介電層的一正面之上的該金屬層的一不反應(yīng)部分。

11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中設(shè)置該襯墊于所述突出部的該第一側(cè)壁及所述區(qū)域的該第二側(cè)壁之上包括：

設(shè)置該襯墊于該介電層的遠(yuǎn)離該半導(dǎo)體基材的一正面、該第一側(cè)壁、該第二側(cè)壁、及該半導(dǎo)體基材的鄰近于該第一側(cè)壁的一上表面之上；以及

通過蝕刻去除位于該正面及該上表面之上的該襯墊。

12.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中設(shè)于該第一側(cè)壁與該第二側(cè)壁之上的該襯墊的沿著垂直方向的厚度一致。

13.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中該金屬層另設(shè)于該介電層的一正面之上，且位于該正面之上的該金屬層的該不反應(yīng)部分在進(jìn)行該熱處理工藝之后被去除。

14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其中設(shè)于該正面之上的該金屬層的厚度與設(shè)于該上表面之上的該金屬層的厚度比例實(shí)質(zhì)上相同或小于100：1。

15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其中設(shè)于該正面之上的該金屬層的厚度與設(shè)于該上表面之上的該金屬層的厚度比例實(shí)質(zhì)上相同或大于1：1。