[發明專利]半導體裝置及制造該半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201910052818.0
• 申請日: 2019-01-21
• 公開（公告）號: CN110246896A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 李栗;益岡有里
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉潤蓓;尹淑梅

提供了一種半導體裝置以及制造該半導體裝置的方法。所述半導體裝置包括：至少一個有源圖案，位于基底上；至少一個柵電極，與所述至少一個有源圖案交叉；源極/漏極區域，位于所述至少一個有源圖案上，源極/漏極區域位于所述至少一個柵電極的相對側上；以及阻擋層，位于源極/漏極區域中的至少一個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案之間，阻擋層至少位于源極/漏極區域的底部上并包括氧。

于2018年3月7日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0026923號韓國專利申請通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及半導體裝置以及制造該半導體裝置的方法，具體地，涉及包括場效應晶體管的半導體裝置以及制造該半導體裝置的方法。

背景技術

半導體裝置可以包括具有金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOS-FET)的集成電路。為了滿足對具有小圖案尺寸和減少的設計規則的半導體裝置的增長的需求，縮小了集成電路中的MOS-FET。然而，MOS-FET的縮小會導致半導體裝置的操作特性劣化。因此，正在進行各種研究以克服與半導體裝置的縮小有關的技術限制并實現高性能半導體裝置。

發明內容

根據一些實施例，半導體裝置可以包括：至少一個有源圖案，位于基底上；至少一個柵電極，與所述至少一個有源圖案交叉；源極/漏極區域，位于所述至少一個有源圖案上，源極/漏極區域位于所述至少一個柵電極的相對側上；以及阻擋層，位于源極/漏極區域中的至少一個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案之間，阻擋層至少位于源極/漏極區域的底部上并包括氧。

根據一些實施例，半導體裝置可以包括：至少一個有源finFET圖案，位于基底上；至少一個柵電極，與所述至少一個有源finFET圖案交叉；源極/漏極區域，位于所述至少一個有源finFET圖案上，源極/漏極區域位于所述至少一個柵電極的相對側上；以及阻擋層，位于源極/漏極區域中的每個源極/漏極區域與所述至少一個有源finFET圖案之間，阻擋層沿源極/漏極區域的底部是共形的并包括氧。

根據一些實施例，半導體裝置可以包括：至少一個有源圖案，位于基底上；至少一個柵電極，與所述至少一個有源圖案交叉；源極/漏極區域，位于所述至少一個有源圖案上，源極/漏極區域位于所述至少一個柵電極的相對側上；第一阻擋層，位于源極/漏極區域中的每個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案之間，第一阻擋層至少位于源極/漏極區域的底部上并包括氧；以及第二阻擋層，位于源極/漏極區域中的每個源極/漏極區域的頂表面與對應的第一阻擋層之間，第一阻擋層和第二阻擋層彼此分隔開。

根據一些實施例，半導體裝置可以包括：有源圖案，位于基底的第一區域和第二區域上；柵電極，與有源圖案交叉；源極/漏極區域，位于有源圖案上，源極/漏極區域中的兩個源極/漏極區域分別位于柵電極中的每個柵電極的相對側上；以及阻擋層，在基底的第一區域中位于源極/漏極區域中的每個源極/漏極區域與有源圖案之間，阻擋層至少位于源極/漏極區域的底部上并且包括氧。

根據一些實施例，制造半導體裝置的方法可以包括：在基底上形成至少一個有源圖案；形成與所述至少一個有源圖案交叉的至少一個柵電極；在所述至少一個有源圖案中形成凹進部分，凹進部分位于所述至少一個柵電極的相對側上；在凹進部分中的至少一個凹進部分中共形地形成阻擋層，使得阻擋層包括氧；在阻擋層上形成源極/漏極區域。

根據一些實施例，制造半導體裝置的方法可以包括：在基底上形成至少一個有源圖案；形成與所述至少一個有源圖案交叉的至少一個柵電極；通過外延生長工藝在所述至少一個有源圖案上形成源極/漏極區域，源極/漏極區域位于所述至少一個柵電極的相對側上；在源極/漏極區域中的每個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案之間形成阻擋層，阻擋層包括氧。