[發明專利]半導體裝置及制造該半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201910052818.0
• 申請日: 2019-01-21
• 公開（公告）號: CN110246896A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 李栗;益岡有里
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉潤蓓;尹淑梅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

至少一個有源圖案，位于基底上；

至少一個柵電極，與所述至少一個有源圖案交叉；

源極/漏極區域，位于所述至少一個有源圖案上，源極/漏極區域位于所述至少一個柵電極的相對側上；

阻擋層，位于源極/漏極區域中的至少一個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案之間，阻擋層至少位于源極/漏極區域的底部上并包括氧。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋層位于源極/漏極區域中的每個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案之間，阻擋層沿源極/漏極區域的每個底部是共形的。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中：

所述至少一個有源圖案包括凹進部分，源極/漏極區域位于凹進部分中，

阻擋層沿凹進部分中的每個凹進部分的整體是共形的。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋層使每個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案完全分離。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋層沿每個源極/漏極區域的底部和對應的側壁連續延伸。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋層為使每個源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案分離的氧化硅層。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中，氧化硅層具有約2埃至約5埃的厚度。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括位于所述至少一個源極/漏極區域內的至少一個其他阻擋層，所述至少一個其他阻擋層與阻擋層分隔開。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述至少一個其他阻擋層包括與阻擋層相同的材料。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，每個阻擋層和所述至少一個其他阻擋層具有約2埃至約5埃的厚度。

11.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述至少一個有源圖案為鰭式場效應晶體管圖案。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋層僅位于源極/漏極區域中的一些源極/漏極區域與所述至少一個有源圖案之間。

13.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

至少一個有源鰭式場效應晶體管圖案，位于基底上；

至少一個柵電極，與所述至少一個有源鰭式場效應晶體管圖案交叉；

源極/漏極區域，位于所述至少一個有源鰭式場效應晶體管圖案上，源極/漏極區域位于所述至少一個柵電極的相對側上；

阻擋層，位于源極/漏極區域中的每個源極/漏極區域與所述至少一個有源鰭式場效應晶體管圖案之間，阻擋層沿源極/漏極區域的底部是共形的并包括氧。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，其中，阻擋層沿每個源極/漏極區域的底部和對應的側壁是共形的。

15.如權利要求13所述的半導體裝置，其中，阻擋層沿每個源極/漏極區域與所至少一個鰭式場效應晶體管圖案之間的全部界面是連續的。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，阻擋層和每個源極/漏極區域分別是外延半導體層。

17.如權利要求16所述的半導體裝置，其中，阻擋層直接位于每個源極/漏極區域與所述至少一個鰭式場效應晶體管圖案之間。