[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910048922.2
• 申請(qǐng)日: 2019-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN110060992B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李俊奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: NEPES株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/18
• 分類號(hào): H01L25/18;H10B80/00;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 姜香丹;康泉

一種半導(dǎo)體封裝，包括：第一封裝，包括第一半導(dǎo)體芯片、將第一半導(dǎo)體芯片覆蓋的第一封裝層、和與第一半導(dǎo)體芯片的焊盤連接的第一再分布圖案；以及第二封裝，在第一封裝上，該第二封裝包括：第二半導(dǎo)體芯片、將第二半導(dǎo)體芯片覆蓋的第二封裝層、以及與第二半導(dǎo)體芯片的焊盤連接的第二再分布圖案。第一再分布圖案通過第一封裝層被連接到第二再分布圖案。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求分別于2018年1月19日和2018年11月5日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2018-0007166號(hào)和第10-2018-0134443號(hào)的權(quán)益，其公開內(nèi)容通過引用整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

隨著電子行業(yè)的巨大發(fā)展以及用戶需求的提升，電子設(shè)備被小型化并輕量化。因此，作為電子設(shè)備的核心部分的半導(dǎo)體器件需要被高度集成。此外，隨著移動(dòng)產(chǎn)品的發(fā)展，半導(dǎo)體器件需要小型化并且是多功能的。

因此，為了提供多功能半導(dǎo)體封裝，正在研究關(guān)于封裝型半導(dǎo)體封裝的封裝，在該封裝型半導(dǎo)體封裝中，在一個(gè)半導(dǎo)體封裝上堆疊具有另一功能的半導(dǎo)體封裝。當(dāng)上部封裝大于下部封裝時(shí)，建議通過扇出晶圓級(jí)封裝(FOWLP)型半導(dǎo)體封裝來形成下部封裝。

發(fā)明內(nèi)容

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例包括具有改進(jìn)后的可靠性的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

另外的方面將部分地在以下的描述中闡述，并且將部分地根據(jù)描述而為顯而易見的，或者可以通過對(duì)所呈現(xiàn)的實(shí)施例加以實(shí)踐來習(xí)得。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝，包括：第一封裝，包括第一半導(dǎo)體芯片、將第一半導(dǎo)體芯片覆蓋的第一封裝層、和與第一半導(dǎo)體芯片的焊盤連接的第一再分布圖案；以及第二封裝，在第一封裝上，該第二封裝包括：第二半導(dǎo)體芯片、將第二半導(dǎo)體芯片覆蓋的第二封裝層、和與第二半導(dǎo)體芯片的焊盤連接的第二再分布圖案。第一再分布圖案通過第一封裝層被連接到第二再分布圖案。

在示例性實(shí)施例中，第一封裝層將第一半導(dǎo)體芯片的其中設(shè)置有第一半導(dǎo)體芯片的焊盤的表面的至少一部分覆蓋。

在示例性實(shí)施例中，第一封裝層包括光敏絕緣材料。

在示例性實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝還包括：第一絕緣圖案，將第一半導(dǎo)體芯片的其中設(shè)置有第一半導(dǎo)體芯片的焊盤的表面的至少一部分覆蓋。第一封裝層將第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面覆蓋。

在示例性實(shí)施例中，第二封裝還包括：無源器件，電連接到第二再分布圖案。

在示例性實(shí)施例中，第二封裝層將第二半導(dǎo)體芯片的其中設(shè)置有第二半導(dǎo)體芯片的焊盤的表面的至少一部分覆蓋。

在示例性實(shí)施例中，第二封裝層包括光敏絕緣材料。

該半導(dǎo)體封裝還包括：第二絕緣圖案，將第二半導(dǎo)體芯片的其中設(shè)置有第二半導(dǎo)體芯片的焊盤的表面的至少一部分覆蓋。第二封裝層將第二半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面覆蓋。

在示例性實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝還包括：電磁屏蔽層，將第一封裝的至少一部分和第二封裝的至少一部分覆蓋。

在示例性實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝還包括：外部封裝層，將第一封裝、第二封裝和電磁屏蔽層覆蓋。

在示例性實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝還包括：下部導(dǎo)電層，在第一封裝和外部封裝層上延伸。下部導(dǎo)電層連接到第一封裝的第一再分布圖案以及電磁屏蔽層。

在示例性實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝還包括：導(dǎo)熱膜，設(shè)置在第一封裝和外部封裝層上，并且將下部導(dǎo)電層的至少一部分覆蓋。