[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910048922.2
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN110060992B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李俊奎
• 申請（專利權(quán)）人: NEPES株式會社
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H10B80/00;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 姜香丹;康泉

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

第一封裝，包括：第一半導(dǎo)體芯片、將所述第一半導(dǎo)體芯片覆蓋的第一封裝層、與所述第一半導(dǎo)體芯片的焊盤連接的第一再分布圖案和接觸所述第一封裝層的下表面和所述第一再分布圖案的第一絕緣圖案；以及

第二封裝，在所述第一封裝上，所述第二封裝包括：第二半導(dǎo)體芯片、將所述第二半導(dǎo)體芯片覆蓋的第二封裝層、和與所述第二半導(dǎo)體芯片的焊盤連接的第二再分布圖案，

其中所述第一再分布圖案通過所述第一封裝層被連接到所述第二再分布圖案，并且

其中所述第一封裝層包括從所述第一封裝層的上表面延伸到與所述第一封裝層的所述上表面相對的所述第一封裝層的所述下表面的第一通孔，

其中所述第一再分布圖案沿著所述第一封裝層的所述下表面和所述第一通孔的側(cè)壁連續(xù)延伸，并且直接連接到所述第二再分布圖案，

其中所述第一再分布圖案部分地填充所述第一通孔，

其中所述第一絕緣圖案部分地填充所述第一通孔并且接觸在所述第一通孔中提供的所述第一再分布圖案，

其中所述第一封裝層接觸所述第一半導(dǎo)體芯片的其中設(shè)置有所述第一半導(dǎo)體芯片的焊盤的下表面，并且

其中所述第一再分布圖案直接接觸所述第一封裝層的所述下表面和所述第一通孔的所述側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

所述第一封裝層包括光敏絕緣材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

所述第一封裝層將所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面覆蓋。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二封裝進(jìn)一步包括：

無源器件，電連接到所述第二再分布圖案。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

所述第二封裝層將所述第二半導(dǎo)體芯片的設(shè)置有所述第二半導(dǎo)體芯片的焊盤的表面的至少一部分覆蓋。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

所述第二封裝層包括光敏絕緣材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括：

第二絕緣圖案，將所述第二半導(dǎo)體芯片的設(shè)置有所述第二半導(dǎo)體芯片的焊盤的表面的至少一部分覆蓋，

其中所述第二封裝層將所述第二半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面覆蓋。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括：

電磁屏蔽層，將所述第一封裝的至少一部分和所述第二封裝的至少一部分覆蓋。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括：

外部封裝層，將所述第一封裝、所述第二封裝和所述電磁屏蔽層覆蓋。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括：

下部導(dǎo)電層，在所述第一封裝和所述外部封裝層上延伸，

其中所述下部導(dǎo)電層連接到所述第一封裝的所述第一再分布圖案以及所述電磁屏蔽層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括：

導(dǎo)熱膜，設(shè)置在所述第一封裝和所述外部封裝層上，并且將所述下部導(dǎo)電層的至少一部分覆蓋。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括：

第三封裝，設(shè)置在所述第一封裝的下方，

其中所述第三封裝包括：第三半導(dǎo)體芯片、集成無源器件IPD、將所述第三半導(dǎo)體芯片和所述IPD覆蓋的第三封裝層、以及通過所述第三封裝層被連接到所述第一再分布圖案的第三再分布圖案。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

所述第三半導(dǎo)體芯片包括人工智能AI處理器。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

所述IPD是環(huán)形的以圍繞所述第三半導(dǎo)體芯片。