[發明專利]一種功率半導體模塊及電機控制器

有效

• 申請號: 201910048619.2
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN109755200B
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 新居良英;高崎哲;劉莉飛;王慶凱;茍文輝;劉樂
• 申請（專利權）人: 上海大郡動力控制技術有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/492;H01L25/07
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種功率半導體模塊，其特征在于，包括：

基板；

第一絕緣層，位于所述基板上；

電極層，位于所述第一絕緣層上，包括第一電極層、第二電極層、第三電極層、第二絕緣層和第三絕緣層，所述第二絕緣層位于所述第一電極層和所述第二電極層之間，所述第三絕緣層位于所述第二電極層和所述第三電極層之間；

所述第一電極層位于所述第二電極層遠離所述基板的一側，且所述第一電極層與所述第三電極層位于同一層；或者所述第一電極層位于所述第二電極層靠近所述基板的一側，所述第三電極層位于所述第二電極層遠離所述基板的一側；

所述第一電極層通過導線與供電電源的正極電連接，所述第二電極層通過導線與所述供電電源的負極電連接，所述第三電極層通過導線與輸出端電連接；

第一晶體管組件，包括第一晶體管，所述第一晶體管的集電極與所述第一電極層接觸電連接，發射極通過導線與所述第三電極層電連接，基極通過導線與對應的柵極驅動電路電連接；

第二晶體管組件，包括第二晶體管，所述第二晶體管的集電極與第三電極層接觸電連接，發射極通過導線與所述第二電極層電連接，基極通過導線與對應的柵極驅動電路電連接。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一電極層位于所述第二電極層遠離所述基板的一側；所述第一電極層和所述第三電極層同層設置，所述第二絕緣層復用為所述第三絕緣層。

3.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一電極層位于所述第二電極層靠近所述基板的一側，所述第二電極層位于所述第三電極層靠近所述基板的一側。

4.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述基板為散熱基板。

5.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管為IGBT或MOS-FET。

6.根據權利要求5所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管為SiC-MOS-FET。

7.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一晶體管組件還包括第一續流二極管，所述第一續流二極管的陽極與所述第一晶體管的集電極電連接，陰極與所述第一晶體管的發射極電連接；

所述第二晶體管組件還包括第二續流二極管，所述第二續流二極管的陽極與所述第二晶體管的集電極電連接，陰極與所述第二晶體管的發射極電連接。

8.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一電極層、所述第二電極層以及所述第三電極層的材料為銅。

9.根據權利要求8所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一電極層、所述第二電極層以及所述第三電極層為銅板或銅薄膜。

10.一種電機控制器，其特征在于，包括上述權利要求1-9任一項所述的功率半導體模塊。