[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201910047409.1
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN111463160A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 郭海濤;嚴大生;蔡育源;徐傳賢;司徒道海
• 申請（專利權）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/66
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

本發明提供一種半導體器件及其制造方法，該方法包括：提供一晶圓，包括晶圓正面及晶圓背面，對晶圓進行背面研磨減薄處理及背金處理；在晶圓背面的至少部分區域貼附金屬貼片，金屬貼片的中心與晶圓的中心重合；其中，貼附金屬貼片后，晶圓背面整體呈現平面式。在晶圓背面貼附金屬貼片，提高了晶圓的強度，有效防止出現晶圓翹曲現象，降低搬運過程中晶圓損壞的風險。晶圓背面貼附金屬貼片后整體上是平面的，能夠在傳統的測試機臺上對晶圓進行測試，提高了測試機臺的利用率，降低晶圓測試的成本。測試后，無需去除該金屬貼片，便可進入后續的切割封裝過程，本發明的方法既不會對測試階段的環境造成污染，同時適合后續的切割和封裝制程。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，具體地涉及半導體功率器件制造領域，更具體地涉及一種半導體器件及其制造方法。

背景技術

在集成電路中，半導體器件，尤其是功率器件是一個重要的應用領域。功率器件制造過程中，晶圓的背面工藝制程對器件電阻的降低及后續的封裝都有重要影響。對于背面工藝制程的研磨工藝，現有技術中主要有Taiko工藝和傳統的非Taiko(non-Taiko)研磨工藝。采用Taiko工藝對晶圓進行研磨時，將保留晶圓的外圍邊緣部分，只對晶圓內進行研磨薄型化。該工藝能夠降低薄型晶圓的搬運風險，并且能夠減少傳統研磨工藝造成的晶圓翹曲現象，提高晶圓的強度。

然而，由于Taiko工藝處理后的晶圓(簡稱Taiko晶圓)背面存在凹陷區，而傳統的non-Taiko研磨工藝處理后的晶圓(簡稱non-Taiko)背面為平面式，這就導致測試傳統晶圓的探針臺無法載放Taiko晶圓，反之能測試Taiko晶圓的探針臺無法載放傳統晶圓。

為了測試Taiko晶圓，目前常用的方法都是通過更改卡盤的樣式來配合吸附放置Taiko晶圓，例如將卡片設置為具有與Taiko晶圓背面的凹陷區對應的凸臺。這種更改卡盤的方式涉及到設備改造，勢必會增加測試成本，并且改造后無法零成本還原，因此無法兼容測試傳統晶圓。由此導致晶圓測試機臺的利用率降低，晶圓測試成本增加。

發明內容

鑒于現有技術的上述缺陷和不足，本發明提供一種半導體器件及其制造方法，通過該半導體器件及其制造方法，半導體器件的晶圓背面均呈平面式，無論是Taiko晶圓還是傳統的non-Taiko晶圓均能夠在傳統測試機臺上進行測試，無需對測試機臺做出任何更改，從而提高晶圓測試機臺的利用率，降低晶圓測試成本。

根據本發明的第一方面，本發明提供了一種半導體器件制造方法，該方法包括以下步驟：

提供一晶圓，包括晶圓正面及晶圓背面，對所述晶圓進行背面研磨減薄處理及背金處理；

在所述晶圓背面的至少部分區域貼附金屬貼片，所述金屬貼片的中心與所述晶圓的中心重合；其中，貼附所述金屬貼片后，所述晶圓背面整體呈現平面式。

可選地，所述金屬貼片包括圓盤形金屬貼片，所述金屬貼片選自金、銀和銅片中的任意一種。

可選地，對所述晶圓背面進行研磨減薄處理，減薄處理后所述晶圓背面的中間區域形成厚度小于外圍邊緣厚度的凹陷區；在所述凹陷區的表面貼附所述金屬貼片，所述金屬貼片的形狀、尺寸與所述凹陷區的形狀、尺寸吻合。

可選地，對所述晶圓背面進行研磨減薄，減薄處理后所述晶圓背面呈現平面式，在所述晶圓背面貼附所述金屬貼片。

可選地，所述金屬貼片的直徑介于190mm～290mm或200mm～300mm，所述金屬貼片的厚度介于0.3mm～0.8mm。

可選地，所述方法還包括如下步驟：

對貼附有所述金屬貼片的所述晶圓進行測試；

測試完成后將貼附有所述金屬貼片的所述晶圓進行切割并封裝。

可選地，在對所述晶圓進行切割封裝前對貼附有所述金屬貼片的所述晶圓進行背面研磨減薄。