[發(fā)明專利]一種半導體器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910047409.1
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN111463160A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設計）人: 郭海濤;嚴大生;蔡育源;徐傳賢;司徒道海
• 申請（專利權(quán)）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/66
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種半導體器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一晶圓，包括晶圓正面及晶圓背面，對所述晶圓進行背面研磨減薄處理及背金處理；

在所述晶圓背面的至少部分區(qū)域貼附金屬貼片，所述金屬貼片的中心與所述晶圓的中心重合；其中，貼附所述金屬貼片后，所述晶圓背面整體呈現(xiàn)平面式。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬貼片包括圓盤形金屬貼片，所述金屬貼片選自金、銀和銅片中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，對所述晶圓背面進行研磨減薄處理，減薄處理后所述晶圓背面的中間區(qū)域形成厚度小于外圍邊緣厚度的凹陷區(qū)；在所述凹陷區(qū)的表面貼附所述金屬貼片，所述金屬貼片的形狀、尺寸與所述凹陷區(qū)的形狀、尺寸吻合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，對所述晶圓背面進行研磨減薄，減薄處理后所述晶圓背面呈現(xiàn)平面式，在所述晶圓背面貼附所述金屬貼片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬貼片的直徑介于190mm～290mm或200mm～300mm，所述金屬貼片的厚度介于0.3mm～0.8mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法還包括如下步驟：

對貼附有所述金屬貼片的所述晶圓進行測試；

測試完成后將貼附有所述金屬貼片的所述晶圓進行切割并封裝。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，在對所述晶圓進行切割封裝前對貼附有所述金屬貼片的所述晶圓進行背面研磨減薄。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，對所述晶圓進行切割并封裝包括：

將所述晶圓連同其背面的金屬貼片一起切割，形成單獨的晶粒，然后進行封裝；或者

以多晶粒組合的形式對所述晶圓及貼附在所述晶圓背面的所述金屬貼片進行切割，其中所述金屬貼片不完全切穿，并且所述多晶粒組合以功率模組的形式進行封裝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述晶圓背面的至少部分區(qū)域貼附金屬貼片的步驟包括：

在所述晶圓背面的至少部分區(qū)域涂覆錫膏層；

在所述錫膏上貼附所述金屬貼片；

加熱所述晶圓、錫膏層及所述金屬貼片，所述金屬貼片通過錫膏層與所述晶圓粘合在一起。

10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

晶圓，包括晶圓正面及晶圓背面，所述晶圓背面包括背金工藝形成的背面金屬鍍層；以及

貼附在所述晶圓背面的至少部分區(qū)域的金屬貼片；

其中，所述金屬貼片的中心與所述晶圓的中心重合，并且貼附有所述金屬貼片的所述晶圓背面整體呈現(xiàn)平面式。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬貼片包括圓盤形金屬貼片，所述金屬貼片選自金、銀和銅片中的任意一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述晶圓背面的中間區(qū)域的厚度小于外圍邊緣的厚度，所述中間區(qū)域形成為凹陷區(qū)，所述金屬貼片貼附在所述凹陷區(qū)的表面上，并且所述金屬貼片的形狀、尺寸與所述凹陷區(qū)的形狀、尺寸吻合當。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬貼片的直徑介于190mm～290mm或200mm～300mm，所述金屬貼片的厚度介于0.3mm～0.8mm。

14.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括涂覆在所述晶圓背面和所述金屬貼片之間的錫膏層，所述金屬貼片通過所述錫膏層粘合在所述晶圓背面。