[發明專利]一種SIW超結構正交環耦合結構有效
| 申請號: | 201910046735.0 | 申請日: | 2019-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN109728384B | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 汪曉光;田松杰;陳良;陳鳳婷 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20 |
| 代理公司: | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 siw 結構 正交 耦合 | ||
本發明屬于微波通信技術領域,涉及傳輸線、耦合器、濾波器,具體為一種SIW超結構正交環耦合結構。本發明中耦合結構設置于雙層SIW傳輸線的中間金屬板上,位于所述中間金屬板的中心點位置;耦合結構由兩層嵌套的環形槽構成,兩層環形槽圓心重合,且與中間金屬板的中心點重合;每層環形槽包括兩個尺寸相同的圓弧形槽,兩個圓弧形槽開口正對、且兩端保持相同間距;兩層環形槽中圓弧形槽的開口方向正交相差90度。本發明通過在兩層SIW傳輸線的金屬板上添加超結構正交環作為耦合結構,使得耦合結構能夠對頻率進行選擇,能夠增強濾波器的濾波性能,改善插入損耗。
技術領域
本發明屬于微波通信技術領域,涉及傳輸線、耦合器、濾波器,具體為一種SIW超結構正交環耦合結構。
背景技術
SIW結構是近些年來形成的一種基片集成波導形式,能夠集成于填充介質基片中,兼有低輻射、低損耗、體積小等優勢;因此,SIW結構是器件小型化,實現高性能的關鍵技術,是制作濾波器的良好結構。
在濾波器的設計中,耦合結構的耦合系數是一個很重要的因素,現有的耦合結構主要有方形孔、圓形孔,通過調節孔的尺寸和方位來調節諧振腔之間的耦合系數;并且調節方式比較單一,不能使濾波器的設計得到簡化,不能對頻率起到調節作用,從而使得濾波器的腔體數量增加,使得濾波器的損耗大大增加。
發明內容
本發明的目的在于針對上述現狀,提供一種SIW超結構正交環耦合結構,用于解決現有耦合結構調節方式單一、不能調節頻率的問題。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案如下:
一種SIW超結構正交環耦合結構,所述耦合結構設置于雙層SIW傳輸線的中間金屬板上,位于所述中間金屬板的中心點位置;其特征在于,所述耦合結構由兩層嵌套的環形槽構成,所述兩層環形槽圓心重合,且與所述中間金屬板的中心點重合;每層環形槽包括兩個尺寸相同的圓弧形槽,所述兩個圓弧形槽開口正對、且兩端保持相同間距;所述兩層環形槽中圓弧形槽的開口方向正交相差90度。
本發明的有益效果在于:
本發明通過在兩層SIW傳輸線的金屬板上添加超結構正交環作為耦合結構,使得耦合結構能夠對頻率進行選擇,能夠增強濾波器的濾波性能,改善插入損耗。
附圖說明
圖1為本發明SIW超結構正交環耦合結構的結構示意圖。
圖2為本發明實施例中填充空氣的SIW傳輸線的結構示意圖。
圖3為本發明實施例中SIW傳輸線中間金屬板上添加的超結構正交環耦合結構的俯視示意圖。
圖4為本發明實施例中填充空氣的SIW傳輸線的S參數圖。
圖5為本發明實施例中SIW超結構正交環耦合結構的S參數圖。
圖6是本發明實施例中f與a1的擬合曲線。
具體實施方式
下面結合附圖和實施方式對本發明做進一步的詳細說明。
本實施例提供一種SIW超結構正交環耦合結構,其結構如圖1所示,所述耦合結構設置于雙層SIW傳輸線的中間金屬板上,該雙層SIW傳輸線中填充空氣介質,如圖2所示,所述耦合結構位于中間金屬板的中心點位置,具體結構如圖3所示,耦合結構由兩層嵌套的環形槽構成,所述兩層環形槽圓心重合,且與所述中間金屬板的中心點重合;每層環形槽包括兩個尺寸相同的圓弧形槽,所述兩個圓弧形槽開口正對、且兩端保持相同間距;所述兩層環形槽中圓弧形槽的開口方向正交相差90度。
上述SIW超結構正交環耦合結構的具體設計過程如下:
步驟1、選取X波段的SIW傳輸線,如圖2所示;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學,未經電子科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910046735.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種新型順序切換波導開關
- 下一篇:一種具有對稱零點特性的介質濾波器耦合結構





