[發(fā)明專利]一種SIW超結構正交環(huán)耦合結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910046735.0 | 申請日： | 2019-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN109728384B | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 汪曉光;田松杰;陳良;陳鳳婷 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01P1/20 | 分類號： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 siw 結構 正交 耦合 | ||
【權利要求書】：
1.一種SIW超結構正交環(huán)耦合結構，所述耦合結構設置于雙層SIW傳輸線的中間金屬板上，位于所述中間金屬板的中心點位置；所述雙層SIW傳輸線中填充空氣介質；其特征在于：
所述耦合結構由兩層嵌套的環(huán)形槽構成，兩層環(huán)形槽圓心重合，且與所述中間金屬板的中心點重合；每層環(huán)形槽包括兩個尺寸相同的圓弧形槽，兩個圓弧形槽開口正對、且兩端保持相同間距；兩層環(huán)形槽中圓弧形槽的開口方向正交相差90度。
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