[發(fā)明專利]微流控芯片納米信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910046479.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109647555A | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊文婷;曹臻;陳亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇醫(yī)聯(lián)生物科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00 |
| 代理公司: | 北京文苑專利代理有限公司 11516 | 代理人: | 朱青 |
| 地址: | 225000 江蘇省揚(yáng)州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬納米結(jié)構(gòu) 微流控芯片 納米信號(hào) 增強(qiáng)結(jié)構(gòu) 固相載體 加工 等離子體共振 玻璃片表面 蛋白質(zhì)芯片 銀納米結(jié)構(gòu) 表面鍵合 玻璃載體 局部表面 納米結(jié)構(gòu) 熒光檢測(cè) 熒光增強(qiáng) 早期檢測(cè) 制備集成 玻璃片 靈敏度 沉積 蒸鍍 診斷 參考 疾病 應(yīng)用 | ||
1.一種微流控芯片納米信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,包括:
步驟一:利用傾斜角沉積的方法在固相載體玻璃片上制備集成金屬納米結(jié)構(gòu),所述金屬納米結(jié)構(gòu)為金納米結(jié)構(gòu)或銀納米結(jié)構(gòu);
步驟二:在集成有金屬納米結(jié)構(gòu)的玻璃片表面加入DSP溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,在所述步驟二中:在集成有金屬納米結(jié)構(gòu)的玻璃片表面加入濃度為3~5mg/ml的DSP溶液,在室溫下反應(yīng)1.8~2.2h;清洗干凈后,得到金屬納米結(jié)構(gòu)表面鍵合有DSP的集成金屬納米結(jié)構(gòu)玻璃載體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2所述的微流控芯片信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,所述微流控芯片納米信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法還包括:
步驟三:在該玻璃載體上進(jìn)行ELISA實(shí)驗(yàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的微流控芯片信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,所述步驟三包括:
步驟(1)在該玻璃載體表面加入18~22μg/ml的cTnI單克隆抗體溶液室溫下反應(yīng)1.8~2.2h,實(shí)現(xiàn)cTnI捕獲;
步驟(2)清洗該玻璃載體后,再加入4~6%的牛血清蛋白溶液室溫下反應(yīng)0.8~1.2h;
步驟(3)清洗該玻璃載體后,再加入不同濃度的cTnI溶液室溫下反應(yīng)1.8~2.2h;
步驟(4)清洗該玻璃載體后,加入18~22μg/ml的cTnI多克隆抗體溶液室溫下反應(yīng)1.8~2.2h;
步驟(5)清洗該玻璃載體后,加入1.8~2.2μg/ml的熒光標(biāo)記的兔抗山羊IgG溶液室溫下反應(yīng)0.8~1.2h;
步驟(6)清洗該玻璃載體后,在熒光顯微鏡下測(cè)得各濃度cTnI對(duì)應(yīng)的熒光強(qiáng)度,得到熒光免疫曲線,并與未經(jīng)過化學(xué)處理的干凈玻璃片進(jìn)行對(duì)比。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4所述的微流控芯片信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,在所述步驟(3)中,cTnI溶液的濃度取值范圍為1pg/ml-1μg/ml。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的微流控芯片信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,所述室溫的溫度范圍是22℃~26℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,在所述步驟一中,在利用傾斜角沉積的方法蒸鍍金屬納米結(jié)構(gòu)時(shí),在固相載體玻璃片表面固定一層金屬模具來實(shí)現(xiàn)將金屬納米結(jié)構(gòu)集成在載體指定區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片信號(hào)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)加工方法,其特征在于,在所述步驟一中,制備得到的金屬納米結(jié)構(gòu)為平均直徑為50nm-150nm、厚度為200nm-300nm、間距為100nm-200nm的金屬納米陣列。
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