[發明專利]蝕刻方法和蝕刻裝置

有效

• 申請號: 201910043237.0
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN110047747B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 淺田泰生;折居武彥;鈴木健斗
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明提供一種蝕刻方法和蝕刻裝置。在基板的面內均勻性較高地對含硅膜進行蝕刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供給七氟化碘氣體和堿性氣體，來對該含硅膜(13)進行蝕刻。通過這樣的處理，能夠在基板的面內均勻性較高地蝕刻。并且，在對基板(W)以殘留含硅膜(13)的方式進行蝕刻的情況下，能提高所殘留的含硅膜的表面的平坦性。

技術領域

本發明涉及使用七氟化碘氣體來對含硅膜進行蝕刻的蝕刻方法和蝕刻裝置。

背景技術

在半導體裝置的制造工序中，具有進行去除在半導體晶圓(以下，記載為晶圓)的表面形成的多晶硅膜等含硅膜的處理的情況。在專利文獻1、2中，示出有如下內容：在對多晶硅膜進行蝕刻時，使用IF₇(七氟化碘)氣體作為蝕刻選擇性相對于該多晶硅膜較高的氣體。另外，在專利文獻3中記載有如下內容：為了對蝕刻性能進行調整，將向IF₇氣體添加氧化性氣體或者非活性氣體而成的氣體用作蝕刻氣體，來對硅層進行蝕刻。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特再公表2015-115002號公報

專利文獻2：日本特再公表2015-60069號公報

專利文獻3：日本特許第6032033號公報

發明內容

發明要解決的問題

在使用上述的IF₇氣體等蝕刻氣體來進行含硅膜的干蝕刻的情況下，難以在晶圓的面內均勻性較高地進行蝕刻。另外，例如具有如下情況：對埋入到晶圓表面的含硅膜進行蝕刻，以形成作為圖案的凹部的方式進行處理，但具有如下情況：由于如此蝕刻的均勻性較低，產生上述的凹部的側壁附近的底部的含硅膜比較多地殘留的、被稱為Footing的現象。也就是說，在縱截側面中看來凹部的側面與底面之間的正交性較低，難以形成該正交性較高的良好的形狀的凹部。

因此，具有如下情況：在例如通過使用了等離子體的各向異性蝕刻將含硅膜的上部側去除了后，進行利用濕蝕刻去除含硅膜的下部側的處理。不過，上述的等離子體蝕刻有可能對晶圓表面造成損傷，且由于進行等離子體蝕刻和濕蝕刻這樣的多個處理，因此，花費勞力和時間。為此，具有要以不使用等離子體的上述的干蝕刻進行含硅膜的去除這樣的要求。上述的專利文獻1～3所記載的技術并不是能夠解決這樣的問題的技術。

本發明是基于這樣的狀況作成的，其目的在于提供一種能夠在基板的面內均勻性較高地對含硅膜進行蝕刻的技術。

用于解決問題的方案

本發明的蝕刻方法的特征在于，該蝕刻方法包括如下工序：向在表面形成有含硅膜的基板供給七氟化碘素氣體和堿性氣體，而對該含硅膜進行蝕刻。

本發明的蝕刻裝置的特征在于，該蝕刻裝置具備：

處理容器；

載置部，其設置于所述處理容器內，用于載置在表面形成有含硅膜的基板；以及

氣體供給部，其向所述處理容器內供給七氟化碘氣體和堿性氣體，而對所述含硅膜進行蝕刻。

發明的效果

根據本發明，通過向在表面形成有含硅膜的基板供給七氟化碘氣體和堿性氣體，能夠在基板的面內均勻性較高地對含硅膜進行蝕刻。

附圖說明

圖1是說明比較例中的蝕刻工序的工序圖。

圖2是說明本發明的蝕刻工序的工序圖。