[發明專利]蝕刻方法和蝕刻裝置

有效

• 申請號: 201910043237.0
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN110047747B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 淺田泰生;折居武彥;鈴木健斗
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括如下工序：向在表面形成有含硅膜的基板供給七氟化碘氣體和堿性氣體，來對該含硅膜進行蝕刻，

其中，向所述基板供給七氟化碘氣體的期間與向所述基板供給所述堿性氣體的期間相互重疊，

在將所述基板的溫度設成80℃以上的狀態下，以使所述堿性氣體的流量/所述七氟化碘氣體的流量成為1～1.8的方式向收納該基板的處理容器內供給該堿性氣體和七氟化碘氣體。

2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，

堿性氣體、七氟化碘氣體向所述基板的供給以該堿性氣體、七氟化碘氣體的順序進行。

3.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

對所述含硅膜進行蝕刻的工序包括如下工序：在將所述基板的溫度設為80℃～120℃的狀態下，向該基板供給所述七氟化碘氣體和所述堿性氣體。

4.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

對所述含硅膜進行蝕刻的工序包括如下工序：將容納所述基板的處理容器內的壓力設為13.3Pa～133.3Pa而供給所述七氟化碘氣體和所述堿性氣體。

5.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述堿性氣體是氨氣。

6.一種蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括如下工序：向在表面形成有含硅膜的基板供給七氟化碘氣體和堿性氣體，來對該含硅膜進行蝕刻，

其中，向所述基板供給七氟化碘氣體的期間與向所述基板供給所述堿性氣體的期間相互重疊，以及

在所述基板的溫度比80℃低的狀態下，以使所述堿性氣體的流量/所述七氟化碘氣體的流量成為1以下的方式向收納該基板的處理容器內供給該堿性氣體和七氟化碘氣體。

7.根據權利要求6所述的蝕刻方法，其特征在于，

堿性氣體、七氟化碘氣體向所述基板的供給以該堿性氣體、七氟化碘氣體的順序進行。

8.根據權利要求6或7所述的蝕刻方法，其特征在于，

對所述含硅膜進行蝕刻的工序包括如下工序：在將所述基板的溫度設為30℃以上且低于80℃的狀態下，向該基板供給所述七氟化碘氣體和所述堿性氣體。

9.根據權利要求6或7所述的蝕刻方法，其特征在于，

對所述含硅膜進行蝕刻的工序包括如下工序：將容納所述基板的處理容器內的壓力設為13.3Pa～133.3Pa而供給所述七氟化碘氣體和所述堿性氣體。

10.根據權利要求6或7所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述堿性氣體是氨氣。

11.一種蝕刻裝置，其特征在于，

該蝕刻裝置具備：

處理容器；

載置部，其設置于所述處理容器內，用于載置在表面形成有含硅膜的基板；以及

氣體供給部，其向所述處理容器內供給七氟化碘氣體和堿性氣體而對所述含硅膜進行蝕刻，

其中，向所述處理容器內供給七氟化碘氣體的期間與向所述處理容器內供給所述堿性氣體的期間相互重疊，

在將所述基板的溫度設成80℃以上的狀態下，所述氣體供給部以使所述堿性氣體的流量/所述七氟化碘氣體的流量成為1～1.8的方式向收納該基板的所述處理容器內供給該堿性氣體和七氟化碘氣體。

12.一種蝕刻裝置，其特征在于，

該蝕刻裝置具備：

處理容器；

載置部，其設置于所述處理容器內，用于載置在表面形成有含硅膜的基板；以及

氣體供給部，其向所述處理容器內供給七氟化碘氣體和堿性氣體而對所述含硅膜進行蝕刻，

其中，向所述處理容器內供給七氟化碘氣體的期間與向所述處理容器內供給所述堿性氣體的期間相互重疊，

在所述基板的溫度比80℃低的狀態下，所述氣體供給部以使所述堿性氣體的流量/所述七氟化碘氣體的流量成為1以下的方式向收納該基板的所述處理容器內供給該堿性氣體和七氟化碘氣體。