[發明專利]研磨頭施壓參數的檢測方法及系統

在審

• 申請號: 201910042440.6
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN111451936A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 古進忠;彭竑凱;宋受壯
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B24B49/00
• 分類號: B24B49/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種研磨頭施壓參數的檢測方法及系統，方法包括：提供一待檢測研磨頭；設定待檢測研磨頭的使用模式，以及基于使用模式和預先建立的數據庫，設定待檢測研磨頭在所述使用模式下的施壓參數為第一設定值；在待檢測研磨頭上放置薄膜感測片，并利用待檢測研磨頭在使用模式下對薄膜感測片施壓，以由薄膜感測片檢測待檢測研磨頭的第一實際施壓參數，并驗證第一實際施壓參數與第一設定值相差是否小于預設值；當第一實際施壓參數與第一設定值相差小于預設值時，摘除薄膜感測片，并利用待檢測研磨頭在所述使用模式下依照所述第一設定值研磨晶圓。所述方法可以確保晶圓的研磨效果，提高晶圓的良率。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種研磨頭施壓參數的檢測方法及系統。

背景技術

在半導體制造工藝中，通常會利用化學機械設備中的研磨頭來研磨晶圓。

相關技術中，對于不同的晶圓，研磨頭施壓參數也不同(例如針對較厚的晶圓，研磨頭的施壓參數應較大，對于較薄的晶圓，研磨頭的施壓參數應較小)。因此，在研磨某一晶圓之前，工作人員會依據經驗，預先將研磨頭的施壓參數設定為一設定值，之后控制研磨頭基于所述設定值研磨晶圓。

但是，相關技術中，會對化學機械研磨設備中的研磨頭進行更換，則會使得研磨頭的工藝參數發生變化，從而會造成更換后的研磨頭研磨晶圓時的實際施壓參數與預先設定的設定值之間存在較大誤差，會影響晶圓的研磨效果，降低晶圓的良率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種研磨頭施壓參數的檢測方法及系統，以確保晶圓的研磨效果，提高晶圓的良率。

本發明提供了一種研磨頭施壓參數的檢測方法，所述方法包括：

提供一待檢測研磨頭；

設定所述待檢測研磨頭的使用模式，以及基于所述使用模式和預先建立的數據庫，將所述待檢測研磨頭在所述使用模式下的施壓參數設定為第一設定值，其中，所述數據庫包括研磨頭的至少一種使用模式，以及與所述研磨頭的使用模式對應的研磨頭的合格施壓參數范圍；

在所述待檢測研磨頭上放置薄膜感測片，并利用所述待檢測研磨頭在所述使用模式下依照所述第一設定值對所述薄膜感測片施壓，以由所述薄膜感測片檢測所述待檢測研磨頭的第一實際施壓參數，并驗證所述第一實際施壓參數與第一設定值相差是否小于預設值；

當所述第一實際施壓參數與第一設定值相差小于預設值時，摘除所述薄膜感測片，并利用所述待檢測研磨頭在所述使用模式下依照所述第一設定值研磨晶圓。

可選的，在設定所述待檢測研磨頭的使用模式之前，所述方法還包括：

建立所述數據庫；

其中，所述數據庫的建立方法包括：步驟一，設定所述研磨頭的使用模式以及設定所述研磨頭在所述使用模式下的施壓參數為第二設定值，并在研磨頭上放置薄膜感測片，利用所述研磨頭在所述使用模式下依照所述第二設定值對所述薄膜感測片施壓，以由所述薄膜感測片檢測所述研磨頭的第二實際施壓參數；

步驟二，摘除所述薄膜感測片，并利用所述研磨頭在所述使用模式下依照所述第二設定值研磨晶圓，并記錄研磨后的晶圓是否滿足工藝要求；若滿足，則所述第二實際施壓參數為合格施壓參數，并收集所述合格施壓參數；

以及，在同一使用模式下循環執行步驟一和步驟二，以獲取多個合格施壓參數，并在所述多個合格施壓參數中確定出最大值和最小值，構成合格施壓參數范圍；

將所述研磨頭的使用模式與所述合格施壓參數范圍對應存儲至數據庫。

可選的，基于所述使用模式和預先建立的數據庫，設定所述待檢測研磨頭在所述使用模式下的施壓參數為第一設定值的方法包括：

基于所述待檢測研磨頭的使用模式，從所述數據庫中確定對應的合格施壓參數范圍；