[發明專利]研磨頭施壓參數的檢測方法及系統

在審

• 申請號: 201910042440.6
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN111451936A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 古進忠;彭竑凱;宋受壯
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B24B49/00
• 分類號: B24B49/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種研磨頭施壓參數的檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一待檢測研磨頭；

設定所述待檢測研磨頭的使用模式，以及基于所述使用模式和預先建立的數據庫，將所述待檢測研磨頭在所述使用模式下的施壓參數設定為第一設定值，其中，所述數據庫包括研磨頭的至少一種使用模式，以及與所述研磨頭的使用模式對應的研磨頭的合格施壓參數范圍；

在所述待檢測研磨頭上放置薄膜感測片，并利用所述待檢測研磨頭在所述使用模式下依照所述第一設定值對所述薄膜感測片施壓，以由所述薄膜感測片檢測所述待檢測研磨頭的第一實際施壓參數，并驗證所述第一實際施壓參數與第一設定值相差是否小于預設值；

當所述第一實際施壓參數與第一設定值相差小于預設值時，摘除所述薄膜感測片，并利用所述待檢測研磨頭在所述使用模式下依照所述第一設定值研磨晶圓。

2.如權利要求1所述的研磨頭施壓參數的檢測方法，其特征在于，在設定所述待檢測研磨頭的使用模式之前，所述方法還包括：

建立所述數據庫；

其中，所述數據庫的建立方法包括：步驟一，設定所述研磨頭的使用模式以及設定所述研磨頭在所述使用模式下的施壓參數為第二設定值，并在研磨頭上放置薄膜感測片，利用所述研磨頭在所述使用模式下依照所述第二設定值對所述薄膜感測片施壓，以由所述薄膜感測片檢測所述研磨頭的第二實際施壓參數；

步驟二，摘除所述薄膜感測片，并利用所述研磨頭在所述使用模式下依照所述第二設定值研磨晶圓，并記錄研磨后的晶圓是否滿足工藝要求；若滿足，則所述第二實際施壓參數為合格施壓參數，并收集所述合格施壓參數；

以及，在同一使用模式下循環執行步驟一和步驟二，以獲取多個合格施壓參數，并在所述多個合格施壓參數中確定出最大值和最小值，構成合格施壓參數范圍；

將所述研磨頭的使用模式與所述合格施壓參數范圍對應存儲至數據庫。

3.如權利要求1所述的研磨頭施壓參數的檢測方法，其特征在于，基于所述使用模式和預先建立的數據庫，設定所述待檢測研磨頭在所述使用模式下的施壓參數為第一設定值的方法包括：

基于所述待檢測研磨頭的使用模式，從所述數據庫中確定對應的合格施壓參數范圍；

基于確定的所述對應的合格施壓參數范圍設定所述第一設定值，所述第一設定值介于所述對應的合格施壓參數范圍內。

4.如權利要求1所述的研磨頭施壓參數的檢測方法，其特征在于，當所述第一實際施壓參數與第一設定值相差不小于預設值時，調整所述研磨頭的實際施壓參數至與第一設定值相差小于預設值；

摘除所述薄膜感測片，并利用所述研磨頭在所述使用模式下依照所述第一設定值研磨晶圓。

5.如權利要求1所述的研磨頭施壓參數的檢測方法，其特征在于，所述待檢測研磨頭包括多個同心環形區域，每一環形區域構成獨立研磨區域，當利用所述待檢測研磨頭研磨晶圓時，所述獨立研磨區域獨立地向所述晶圓施壓；

所述研磨頭的使用模式包括用于施壓的獨立研磨區域的位置和個數，所述研磨頭的合格施壓參數范圍為用于施壓的獨立研磨區域施壓參數的合格范圍；所述研磨頭的第一設定值包括各個用于施壓的獨立研磨區域的第一設定值。