[發明專利]散熱器散熱層制備方法及散熱器有效
| 申請號: | 201910039105.0 | 申請日: | 2019-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN109767992B | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發明(設計)人: | 伍連彬 | 申請(專利權)人: | 深圳天元羲王材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/367 |
| 代理公司: | 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 44324 | 代理人: | 周松強 |
| 地址: | 510132 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 散熱器 散熱 制備 方法 | ||
1.一種散熱器散熱層制備方法,其特征在于,包括:
對散熱器的表面進行清洗,并將清洗后的所述散熱器放置于真空高溫箱內;
在所述真空高溫箱內充入甲烷,并判斷所述真空高溫箱內的氣體是否滿足加熱反應條件;
當判斷到所述真空高溫箱內的氣體滿足所述加熱反應條件時,對所述真空高溫箱進行加熱,以控制所述甲烷加熱分解為碳和氫氣 ;
按預設加熱間隔持續降低對所述真空高溫箱的加熱溫度,直至停止加熱;
獲取外部空氣的標準氣壓值,并控制所述真空高溫箱進行持續泄壓,直至所述真空高溫箱內的當前氣壓值等于所述標準氣壓值時,停止所述真空高溫箱的泄壓操作,以控制所述碳對所述散熱器表面的石墨烯進行吸附形成石墨烯散熱層,并判斷所述石墨烯散熱層是否滿足碳吸附完成條件;
當判斷到所述石墨烯散熱層滿足所述碳吸附完成條件時,取出所述散熱器。
2.如權利要求1所述的散熱器散熱層制備方法,其特征在于,所述判斷所述真空高溫箱內的氣體是否滿足加熱反應條件的步驟包括:
獲取所述真空高溫箱內所述甲烷的氣體濃度,并判斷所述氣體濃度是否大于第一濃度閾值;
當判斷到所述氣體濃度大于所述第一濃度閾值時,則獲取所述真空高溫箱內的當前氣壓,并判斷所述當前氣壓是否在預設氣壓范圍內;
若是,則判定所述真空高溫箱內的氣體滿足所述加熱反應條件。
3.如權利要求1所述的散熱器散熱層制備方法,其特征在于,所述對所述真空高溫箱進行降溫泄壓的步驟之前,所述方法還包括:
獲取所述真空高溫箱內所述碳的碳濃度,并判斷所述碳濃度是否大于第二濃度閾值;
若是,則發出觸發指令,所述觸發指令用于觸發對所述真空高溫箱的降溫泄壓操作;
若否,則持續對所述真空高溫箱進行加熱。
4.如權利要求1所述的散熱器散熱層制備方法,其特征在于,所述判斷所述石墨烯散熱層是否滿足碳吸附完成條件的步驟包括:
獲取所述散熱器的表面圖像,并獲取所述表面圖像的像素數據;
判斷所述像素數據是否滿足像素條件;
若是,則判定所述石墨烯散熱層滿足所述碳吸附完成條件。
5.如權利要求4所述的散熱器散熱層制備方法,其特征在于,所述獲取所述表面圖像的像素數據的步驟包括:
對所述表面圖像進行分割,以得到多個分割圖像;
分別計算每個所述分割圖像的當前像素值,以得到所述像素數據。
6.如權利要求5所述的散熱器散熱層制備方法,其特征在于,所述判斷所述像素數據是否滿足像素條件的步驟包括:
判斷所述當前像素值是否在預設像素范圍內,并當判斷到所述當前像素值在所述預設像素范圍內時,將所述當前像素值對應的所述分割圖像設置為標記圖像;
獲取所述標記圖像的當前數量,并判斷所述當前數量是否大于數量閾值;
若是,則判定所述像素數據滿足所述像素條件。
7.如權利要求1所述的散熱器散熱層制備方法,其特征在于,所述對所述真空高溫箱進行加熱的步驟之后,所述方法還包括:
控制風機對所述散熱器進行吹風操作。
8.如權利要求1所述的散熱器散熱層制備方法,其特征在于,對所述真空高溫箱的加熱溫度為1000攝氏度或400至700攝氏度。
9.一種散熱器,其特征在于,包括:本體和權利要求1至8任一所述的石墨烯散熱層,所述石墨烯散熱層吸附在所述本體上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





