[發明專利]OLED顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 201910038820.2 | 申請日: | 2019-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN109768070A | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發明(設計)人: | 唐甲;任章淳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 源區 源漏金屬層 陽極 疊層結構 平坦化層 柵極疊層 覆蓋 彩膜層 緩沖層 疊層 基板 層間介質層 透明導電層 柵極介質層 發光結構 金屬層 制作 制造 | ||
本發明提供一種OLED顯示面板及其制造方法。該方法包括以下步驟:提供基板;在所述基板上形成彩膜層、緩沖層、有源區、以及覆蓋所述有源區的疊層結構,所述疊層結構自下到上依次包括柵極介質層、透明導電層和金屬層;形成位于所述有源區上方的柵極疊層和位于所述彩膜層上方的陽極疊層;形成覆蓋所述緩沖層、有源區、柵極疊層和陽極疊層的層間介質層;形成源漏金屬層、覆蓋所述源漏金屬層的平坦化層、覆蓋所述平坦化層的發光結構。
技術領域
本發明涉及電子顯示領域,尤其涉及一種OLED顯示面板及其制作方法。
背景技術
隨著顯示技術的發展,有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示技術發展突飛猛進,OLED產品由于具有輕薄、響應快、廣視角、高對比度、可彎折等優點,受到了越來越多的關注和應用,主要應用在手機、平板、電視等顯示技術領域。
由于OLED顯示屏的薄膜晶體管層(Thin Film Transistor,TFT)結構復雜,需要數十道工藝才能完成TFT層的制作。每一層結構的形成都需要提供不同形狀的掩膜版,進一步增加了顯示屏的制作成本。如何在不影響工藝良率的情況下減少掩膜版的數目以進一步降低成本,成為目前亟待解決的問題。
發明內容
本發明提供一種OLED顯示面板及其制作方法,以降低OLED顯示面板的制作成本。
為解決上述問題,本發明提供了一種OLED顯示面板的制造方法,包括以下步驟:
提供基板,所述基板包括彩膜層和有源區,所述彩膜層和有源區在水平面上的投影不重合;
形成覆蓋所述有源區的疊層結構,所述疊層結構自下到上依次包括柵極介質層、透明導電層和金屬層;
使用同一張掩膜版將所述疊層結構圖形化,形成位于所述有源區上方的柵極疊層和位于所述彩膜層上方的第一陽極疊層;
去除所述陽極疊層中的金屬層,暴露出所述透明導電層,形成陽極疊層;
形成覆蓋所述緩沖層、有源區、柵極疊層和陽極疊層的層間介質層,所述層間介質層具有多個通孔;
形成源漏金屬層,所述源漏金屬層通過所述通孔形成與所述源極、漏極和陽極之間的電連接;
形成覆蓋所述源漏金屬層的平坦化層,所述平坦化層上具有暴露出所述陽極疊層的電極區域的通孔;
形成覆蓋所述平坦化層的發光結構。
根據本發明的其中一個方面,所述有源區在水平方向的投影與所述彩膜層在水平方向的投影不重合。
根據本發明的其中一個方面,使用同一張掩膜版將所述疊層結構圖形化的方法包括以下步驟:
形成覆蓋所述疊層結構的光刻膠,所述光刻膠具有第一厚度;
采用一張掩膜版將所述光刻膠圖形化,形成位于有源區上方的柵極光刻膠和位于彩膜層上方的陽極光刻膠,所述柵極光刻膠的厚度大于所述陽極光刻膠厚度;
以所述柵極光刻膠和陽極光刻膠為掩膜,將所述金屬層圖形化,形成柵極疊層和陽極疊層,暴露出所述緩沖層和有源區。
根據本發明的其中一個方面,所述掩膜版同時具有用于形成柵極疊層的第一圖形和用于形成陽極疊層的第二圖形。
根據本發明的其中一個方面,所述柵極光刻膠的厚度大于或等于所述陽極光刻膠厚度的兩倍。
根據本發明的其中一個方面,所述掩膜版的第一圖形和第二圖形具有不同的透光率,所述第一圖形的透光率大于所述第二圖形的透光率。
根據本發明的其中一個方面,在使用同一張掩膜版將所述疊層結構圖形化之后,還包括以下步驟:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910038820.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





