[發明專利]曝光方法

有效

• 申請號: 201910032610.2
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN109634067B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 張振宇;晁偉;郭易東;郭志林
• 申請（專利權）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 李靜

本發明涉及半導體器件制造技術領域，公開了一種曝光方法，該曝光方法包括：通過待曝光物中的樣本物獲取適配于補償段差圖形線寬差的補償曝光參數；按照所述補償曝光參數對所述待曝光物中的目標物進行補償曝光。在正式曝光之前，根據樣本物確定段差圖形線寬差所對應的補償曝光參數，對目標物預先進行補償曝光，由此，減小了后續正式曝光后所獲得的圖形中存在的線寬差，以獲得線寬均一的圖形，提高了產品良率。

技術領域

本發明涉及半導體器件制造技術領域，具體涉及一種曝光方法。

背景技術

曝光指的是使用特定波長的光對覆蓋襯底或基板或金屬層等的光刻膠進行選擇性的照射的工藝。曝光后，光刻膠中的感光劑會發生光化學反應，從而使得光刻膠被照射區域(感光區域)固化，在后續顯影工序中能夠將特定區域的光刻膠溶解于顯影液中，曝光圖形就可以顯現出來。隨著半導體行業的不斷發展，曝光工藝已經成為半導體器件制造過程中的一個至關重要的步驟。

發明內容

本發明提供了一種曝光方法，包括以下步驟：通過待曝光物中的樣本物獲取適配于補償段差圖形線寬差的補償曝光參數；按照所述補償曝光參數對所述待曝光物中的目標物進行補償曝光。

在其中一個實施例中，所述通過待曝光物中的樣本物獲取適配于補償段差圖形線寬差的補償曝光參數的步驟包括：對所述樣本物的第一區域進行第一次曝光；對所述樣本物的第二區域和所述第一區域進行第二次曝光；確定所述第二區域和所述第一區域的線寬差；調整第一次曝光的曝光參數，降低所述線寬差，得到所述目標物的補償曝光參數。

在其中一個實施例中，所述補償曝光參數包括曝光量。根據曝光量調整線寬差，控制方式更加簡單、直接，調節過程更加便捷。

在其中一個實施例中，所述調整第一次曝光的曝光參數的步驟包括：判斷所述線寬差是否在預設誤差范圍內；當所述線寬差在所述預設誤差范圍內時，保持第一次曝光時的當前曝光量，將所述當前曝光量作為所述目標物的補償曝光參數；當所述線寬差大于所述預設誤差范圍時，則減小第一次曝光時的曝光量；當所述線寬差小于所述預設誤差范圍時，則增大第一次曝光時的曝光量。上述調整過程較為簡單，易實施。

在其中一個實施例中，所述預設誤差范圍為-0.1um～0.1um，能夠很好地在滿足設計要求的前提下降低制作難度。

在其中一個實施例中，所述確定第二區域和第一區域的線寬差的步驟包括：通過顯影工藝將被曝光的光刻膠溶解；獲取未被曝光的光刻膠的圖形；測量所述第二區域和第一區域的線寬；獲取所述第二區域和第一區域的線寬差。上述步驟操作簡單，易實施。

在其中一個實施例中，采用第一掩膜板進行第一次曝光；所述第一掩膜板的遮光區包括所述樣本物的所述第二區域。對第一區域進行第一次曝光，以減小第一區域光刻膠的厚度，盡可能保證第二區域和第一區域的光刻膠厚度一致以及后續圖形的線寬差異較小。

在其中一個實施例中，采用第一掩膜板進行第一次曝光，采用第二掩膜板進行第二次曝光；其中，所述第一掩膜板的遮光區包括所述樣本物的所述第二區域和所述第二掩膜板的遮光區。在第一次曝光時，對第一區域進行補償曝光的同時，還對第二掩膜板對應的透光區進行預曝光，由此，實現減小線寬差異的同時，還對第二掩膜板所對應的目標圖形進行預曝光，提高了最終的曝光效果。

在其中一個實施例中，還包括：對所述目標物進行正式曝光。在正式曝光之前，根據段差圖形線寬差所對應的補償曝光參數，對目標物預先進行補償曝光，由此，減小了后續正式曝光后所獲得的圖形中存在的線寬差，以獲得線寬均一的圖形，提高了產品良率。

在其中一個實施例中，還包括：所述正式曝光步驟所用的曝光掩膜板為所述第二掩膜板，通過共用第二掩膜板降低生產成本。

本發明的技術方案，具有如下優點：