[發(fā)明專利]曝光方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910032610.2
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN109634067B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張振宇;晁偉;郭易東;郭志林
• 申請（專利權(quán)）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 李靜

1.一種曝光方法，其特征在于，包括以下步驟：

通過待曝光物中的樣本物獲取適配于補償段差圖形線寬差的補償曝光參數(shù)；

按照所述補償曝光參數(shù)對所述待曝光物中的目標物進行補償曝光；

其中，所述通過待曝光物中的樣本物獲取適配于補償段差圖形線寬差的補償曝光參數(shù)的步驟包括：

對所述樣本物的第一區(qū)域進行第一次曝光；

對所述樣本物的第二區(qū)域和所述第一區(qū)域進行第二次曝光；

確定所述第二區(qū)域和所述第一區(qū)域的線寬差；

調(diào)整第一次曝光的曝光參數(shù)，降低所述線寬差，得到所述目標物的補償曝光參數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述補償曝光參數(shù)包括曝光量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述調(diào)整第一次曝光的曝光參數(shù)的步驟包括：

判斷所述線寬差是否在預設(shè)誤差范圍內(nèi)；

當所述線寬差在所述預設(shè)誤差范圍內(nèi)時，保持第一次曝光時的當前曝光量，將所述當前曝光量作為所述目標物的補償曝光參數(shù)；

當所述線寬差大于所述預設(shè)誤差范圍時，則減小第一次曝光時的曝光量；

當所述線寬差小于所述預設(shè)誤差范圍時，則增大第一次曝光時的曝光量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光方法，其特征在于，所述預設(shè)誤差范圍為-0.1um～0.1um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的曝光方法，其特征在于，確定所述第二區(qū)域和第一區(qū)域的線寬差的步驟包括：

通過顯影工藝將被曝光的光刻膠溶解；

獲取未被曝光的光刻膠的圖形；

測量所述第二區(qū)域和第一區(qū)域的線寬；

獲取所述第二區(qū)域和第一區(qū)域的線寬差。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的曝光方法，其特征在于，采用第一掩膜板進行第一次曝光；所述第一掩膜板的遮光區(qū)包括所述樣本物的所述第二區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的曝光方法，其特征在于，采用第一掩膜板進行第一次曝光，采用第二掩膜板進行第二次曝光；

其中，所述第一掩膜板的遮光區(qū)包括所述樣本物的所述第二區(qū)域和所述第二掩膜板的遮光區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的曝光方法，其特征在于，還包括：

對所述目標物進行正式曝光。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于，還包括：

所述正式曝光步驟所用的曝光掩膜板為第二掩膜板，所述第二掩膜板對應(yīng)最終所需形成的圖形。